VeTek semiconductor è un produttore leader di materiali di rivestimento in carburo di tantalio per l'industria dei semiconduttori. La nostra offerta di prodotti principali comprende parti di rivestimento in carburo di tantalio CVD, parti di rivestimento in TaC sinterizzato per la crescita dei cristalli SiC o il processo di epitassia dei semiconduttori. Superato ISO9001, VeTek Semiconductor ha un buon controllo sulla qualità. VeTek Semiconductor si impegna a diventare innovatore nel settore del rivestimento in carburo di tantalio attraverso la ricerca continua e lo sviluppo di tecnologie iterative.
I prodotti principali sonoAnello deflettore con rivestimento in carburo di tantalio, anello di deviazione rivestito in TaC, parti a mezzaluna rivestite in TaC, disco di rotazione planetario rivestito in carburo di tantalio (Aixtron G10), crogiolo rivestito in TaC; Anelli rivestiti in TaC; Grafite porosa rivestita in TaC; Suscettore in grafite con rivestimento in carburo di tantalio; Anello guida rivestito in TaC; Piastra rivestita in carburo di tantalio TaC; Suscettore wafer rivestito in TaC; Anello di rivestimento TaC; Copertura in grafite con rivestimento TaC; Pezzo rivestito in TaCecc., la purezza è inferiore a 5 ppm e può soddisfare le esigenze del cliente.
La grafite con rivestimento TaC viene creata rivestendo la superficie di un substrato di grafite ad elevata purezza con uno strato sottile di carburo di tantalio mediante un processo proprietario di deposizione chimica in fase vapore (CVD). Il vantaggio è mostrato nell'immagine seguente:
Il rivestimento in carburo di tantalio (TaC) ha attirato l'attenzione grazie al suo elevato punto di fusione fino a 3880°C, all'eccellente resistenza meccanica, durezza e resistenza agli shock termici, che lo rendono un'alternativa interessante ai processi di epitassia composti di semiconduttori con requisiti di temperatura più elevati, come il sistema Aixtron MOCVD e il processo epitassia LPE SiC. Ha anche un'ampia applicazione nel processo di crescita dei cristalli SiC con metodo PVT.
●Stabilità della temperatura
●Purezza ultra elevata
●Resistenza a H2, NH3, SiH4,Si
●Resistenza allo stock termico
●Forte adesione alla grafite
●Copertura del rivestimento conforme
● Dimensioni fino a 750 mm di diametro(L'unico produttore in Cina raggiunge queste dimensioni)
● Suscettore di riscaldamento induttivo
● Elemento riscaldante resistivo
● Scudo termico
Proprietà fisiche del rivestimento TaC | |
Densità | 14,3 (g/cm³) |
Emissività specifica | 0.3 |
Coefficiente di dilatazione termica | 6.310-6/K |
Durezza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistenza | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilità termica | <2500 ℃ |
La dimensione della grafite cambia | -10~-20um |
Spessore del rivestimento | Valore tipico ≥20um (35um±10um) |
Elemento | Percentuale atomica | |||
Pt. 1 | Pt. 2 | Pt. 3 | Media | |
CK | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
Loro | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
L'anello di rivestimento CVD TaC di VeTek Semiconductor è un componente altamente vantaggioso progettato per soddisfare i severi requisiti dei processi di crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC). L'anello di rivestimento CVD TaC offre un'eccezionale resistenza alle alte temperature e inerzia chimica, rendendolo la scelta ideale per ambienti caratterizzati da temperature elevate e condizioni corrosive. Ci impegniamo a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.
Per saperne di piùInvia richiestaLPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor, un prodotto rivoluzionario progettato per migliorare i processi di epitassia SiC del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni ed efficienza superiori in tutte le operazioni di produzione. Non vedo l'ora di instaurare una cooperazione a lungo termine con voi.
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