La preparazione dell'epitassia al carburo di silicio di alta qualità dipende dalla tecnologia avanzata, dalle apparecchiature e dagli accessori delle apparecchiature. Attualmente, il metodo di crescita epitassiale del carburo di silicio più utilizzato è la deposizione chimica da fase vapore (CVD). Presenta i vantaggi di un controllo preciso dello spessore del film epitassiale e della concentrazione del drogante, un minor numero di difetti, un tasso di crescita moderato, un controllo automatico del processo, ecc. Ed è una tecnologia affidabile che è stata applicata con successo a livello commerciale.
L'epitassia CVD al carburo di silicio adotta generalmente apparecchiature CVD a parete calda o a parete calda, che garantiscono la continuazione dello strato epitassia 4H SiC cristallino in condizioni di temperatura di crescita elevata (1500 ~ 1700 ℃), parete calda o CVD a parete calda dopo anni di sviluppo, secondo il relazione tra la direzione del flusso d'aria in ingresso e la superficie del substrato, la camera di reazione può essere divisa in reattore a struttura orizzontale e reattore a struttura verticale.
Esistono tre indicatori principali per la qualità del forno epitassiale SIC, il primo è la prestazione di crescita epitassiale, compresa l'uniformità dello spessore, l'uniformità del drogaggio, il tasso di difetti e il tasso di crescita; Il secondo riguarda le prestazioni termiche dell'apparecchiatura stessa, compresa la velocità di riscaldamento/raffreddamento, la temperatura massima, l'uniformità della temperatura; Infine, il rapporto costi-benefici dell'apparecchiatura stessa, compreso il prezzo e la capacità di una singola unità.
CVD orizzontale a parete calda (modello tipico PE1O6 dell'azienda LPE), CVD planetario a parete calda (modello tipico Aixtron G5WWC/G10) e CVD quasi-parete calda (rappresentato da EPIREVOS6 dell'azienda Nuflare) sono le principali soluzioni tecniche delle apparecchiature epitassiali che sono state realizzate in applicazioni commerciali in questa fase. Anche i tre dispositivi tecnici hanno caratteristiche proprie e possono essere selezionati in base alla domanda. La loro struttura è mostrata come segue:
I componenti principali corrispondenti sono i seguenti:
(a) Parte centrale di tipo orizzontale a parete calda: le parti Halfmoon sono costituite da
Isolamento a valle
Tomaia isolante principale
Mezzaluna superiore
Isolamento a monte
Pezzo di transizione 2
Pezzo di transizione 1
Ugello aria esterna
Boccaglio affusolato
Ugello esterno per gas argon
Ugello per gas argon
Piastra supporto wafer
Perno di centraggio
Guardia centrale
Coperchio di protezione sinistro a valle
Coperchio di protezione destro a valle
Coperchio di protezione sinistro a monte
Coperchio di protezione a monte destro
Parete laterale
Anello di grafite
Feltro protettivo
Feltro di sostegno
Blocco contatti
Bombola uscita gas
(b) Tipo planetario a parete calda
Disco planetario con rivestimento SiC e disco planetario con rivestimento TaC
(c) Tipo a parete quasi termica
Nuflare (Giappone): questa azienda offre forni verticali a doppia camera che contribuiscono ad aumentare la resa produttiva. L'apparecchiatura è caratterizzata da una rotazione ad alta velocità fino a 1.000 giri al minuto, il che è estremamente vantaggioso per l'uniformità epitassiale. Inoltre, la direzione del flusso d'aria è diversa da quella di altre apparecchiature, essendo verticalmente verso il basso, minimizzando così la generazione di particelle e riducendo la probabilità che goccioline di particelle cadano sui wafer. Forniamo componenti principali in grafite rivestita in SiC per questa apparecchiatura.
In qualità di fornitore di componenti per apparecchiature epitassiali SiC, VeTek Semiconductor si impegna a fornire ai clienti componenti di rivestimento di alta qualità per supportare l'implementazione di successo dell'epitassia SiC.
VeTek Semiconductor è un produttore professionale e leader di prodotti porta wafer rivestiti SiC in Cina. Il supporto per wafer rivestito in SiC è un supporto per wafer per il processo di epitassia nella lavorazione dei semiconduttori. Si tratta di un dispositivo insostituibile che stabilizza il wafer e garantisce la crescita uniforme dello strato epitassiale. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.
Per saperne di piùInvia richiestaVeTek Semiconductor è un produttore e fabbrica professionale di supporti per wafer Epi in Cina. Epi Wafer Holder è un supporto per wafer per il processo di epitassia nella lavorazione dei semiconduttori. È uno strumento chiave per stabilizzare il wafer e garantire una crescita uniforme dello strato epitassiale. È ampiamente utilizzato nelle apparecchiature per epitassia come MOCVD e LPCVD. È un dispositivo insostituibile nel processo di epitassia. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.
Per saperne di piùInvia richiestaIn qualità di produttore e innovatore professionale di prodotti Aixtron Satellite Wafer Carrier in Cina, Aixtron Satellite Wafer Carrier di VeTek Semiconductor è un wafer carrier utilizzato nelle apparecchiature AIXTRON, utilizzato principalmente nei processi MOCVD nella lavorazione dei semiconduttori ed è particolarmente adatto per alte temperature e alta precisione processi di lavorazione dei semiconduttori. Il supporto può fornire un supporto stabile del wafer e una deposizione uniforme della pellicola durante la crescita epitassiale MOCVD, che è essenziale per il processo di deposizione degli strati. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.
Per saperne di piùInvia richiestaVeTek Semiconductor è un produttore professionale di reattori LPE Halfmoon SiC EPI, innovatore e leader in Cina. LPE Halfmoon SiC EPI Reactor è un dispositivo specificamente progettato per la produzione di strati epitassiali di carburo di silicio (SiC) di alta qualità, utilizzati principalmente nell'industria dei semiconduttori. VeTek Semiconductor si impegna a fornire tecnologie leader e soluzioni di prodotto per l'industria dei semiconduttori e accoglie con favore le vostre ulteriori richieste.
Per saperne di piùInvia richiestaIn qualità di produttore e fornitore professionale di soffitti rivestiti CVD SiC in Cina, il soffitto rivestito CVD SiC di VeTek Semiconductor ha proprietà eccellenti come resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, elevata durezza e basso coefficiente di dilatazione termica, che lo rendono una scelta di materiale ideale nella produzione di semiconduttori. Saremo lieti di ulteriore collaborazione con voi.
Per saperne di piùInvia richiestaIl cilindro in grafite CVD SiC di Vetek Semiconductor è fondamentale nelle apparecchiature per semiconduttori, poiché funge da scudo protettivo all'interno dei reattori per salvaguardare i componenti interni in ambienti ad alta temperatura e pressione. Protegge efficacemente dalle sostanze chimiche e dal calore estremo, preservando l'integrità dell'apparecchiatura. Con un'eccezionale resistenza all'usura e alla corrosione, garantisce longevità e stabilità in ambienti difficili. L'utilizzo di queste coperture migliora le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore, prolunga la durata della vita e riduce i requisiti di manutenzione e i rischi di danni. Benvenuti a contattarci.
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