LPE SiC EPI Halfmoon
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LPE SiC EPI Halfmoon

LPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor, un prodotto rivoluzionario progettato per migliorare i processi di epitassia SiC del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni ed efficienza superiori in tutte le operazioni di produzione. Non vedo l'ora di instaurare una cooperazione a lungo termine con voi.

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Descrizione del prodotto

In qualità di produttore professionale, VeTek Semiconductor vorrebbe fornirti LPE SiC Epi Halfmoon di alta qualità.

LPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor, un prodotto rivoluzionario progettato per migliorare i processi di epitassia SiC del reattore LPE. Questa soluzione all'avanguardia vanta diverse caratteristiche chiave che garantiscono prestazioni ed efficienza superiori in tutte le operazioni di produzione.

L'LPE SiC Epi Halfmoon offre precisione e accuratezza eccezionali, garantendo una crescita uniforme e strati epitassiali di alta qualità. Il suo design innovativo e le tecniche di produzione avanzate forniscono supporto wafer e gestione termica ottimali, offrendo risultati coerenti e riducendo al minimo i difetti.

Inoltre, LPE SiC Epi Halfmoon è rivestito con uno strato di carburo di tantalio (TaC) di alta qualità, che ne migliora le prestazioni e la durata. Questo rivestimento TaC migliora significativamente la conduttività termica, la resistenza chimica e la resistenza all'usura, salvaguardando il prodotto e prolungandone la durata.

L'integrazione del rivestimento TaC nell'LPE SiC Epi Halfmoon apporta miglioramenti significativi al flusso di processo. Migliora la gestione termica, garantendo un'efficiente dissipazione del calore e mantenendo una temperatura di crescita stabile. Questo miglioramento porta a una maggiore stabilità del processo, a uno stress termico ridotto e a una migliore resa complessiva.

Inoltre, il rivestimento TaC riduce al minimo la contaminazione del materiale, consentendo una pulizia più pulita e altro ancora

processo di epitassia controllata. Agisce come una barriera contro reazioni indesiderate e impurità, determinando strati epitassiali di purezza più elevata e prestazioni del dispositivo migliorate.

Scegli LPE SiC Epi Halfmoon di VeTek Semiconductor per processi di epitassia senza rivali. Sperimenta i vantaggi del design avanzato, della precisione e del potere di trasformazione del rivestimento TaC nell'ottimizzazione delle operazioni di produzione. Migliora le tue prestazioni e ottieni risultati eccezionali con la soluzione leader del settore di VeTek Semiconductor.


Parametro del prodotto LPE SiC Epi Halfmoon:

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità 14,3 (g/cm³)
Emissività specifica 0.3
Coefficiente di dilatazione termica 6.3 10-6/K
Durezza (HK) 2000 Hong Kong
Resistenza 1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
La dimensione della grafite cambia -10~-20um
Spessore del rivestimento Valore tipico ≥20um (35um±10um)


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:


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