Cina Tecnologia MOCVD Produttore, fornitore, fabbrica

VeTek Semiconductor ha vantaggi ed esperienza nei pezzi di ricambio con tecnologia MOCVD.

MOCVD, il nome completo della deposizione chimica da vapore metallo-organica (deposizione chimica da vapore metallo-organica), può anche essere chiamata epitassia in fase vapore metallo-organica. I composti organometallici sono una classe di composti con legami metallo-carbonio. Questi composti contengono almeno un legame chimico tra un metallo e un atomo di carbonio. I composti metallo-organici sono spesso utilizzati come precursori e possono formare film sottili o nanostrutture sul substrato attraverso varie tecniche di deposizione.

La deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (tecnologia MOCVD) è una tecnologia di crescita epitassiale comune, la tecnologia MOCVD è ampiamente utilizzata nella produzione di laser e LED a semiconduttore. Soprattutto nella produzione di LED, la MOCVD è una tecnologia chiave per la produzione di nitruro di gallio (GaN) e materiali correlati.

Esistono due forme principali di epitassia: epitassia in fase liquida (LPE) ed epitassia in fase vapore (VPE). L'epitassia in fase gassosa può essere ulteriormente suddivisa in deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) ed epitassia a fascio molecolare (MBE).

I produttori esteri di apparecchiature sono rappresentati principalmente da Aixtron e Veeco. Il sistema MOCVD è una delle apparecchiature chiave per la produzione di laser, LED, componenti fotoelettrici, potenza, dispositivi RF e celle solari.

Caratteristiche principali dei pezzi di ricambio con tecnologia MOCVD prodotti dalla nostra azienda:

1) Alta densità e incapsulamento completo: la base in grafite nel suo insieme si trova in un ambiente di lavoro corrosivo e ad alta temperatura, la superficie deve essere completamente avvolta e il rivestimento deve avere una buona densificazione per svolgere un buon ruolo protettivo.

2) Buona planarità superficiale: poiché la base di grafite utilizzata per la crescita del singolo cristallo richiede una planarità superficiale molto elevata, la planarità originale della base deve essere mantenuta dopo la preparazione del rivestimento, ovvero lo strato di rivestimento deve essere uniforme.

3) Buona forza di adesione: riduce la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra la base di grafite e il materiale di rivestimento, che può migliorare efficacemente la forza di adesione tra i due, e il rivestimento non è facile da rompersi dopo aver sperimentato calore ad alta e bassa temperatura ciclo.

4) Elevata conduttività termica: la crescita del truciolo di alta qualità richiede che la base di grafite fornisca calore rapido e uniforme, quindi il materiale di rivestimento deve avere un'elevata conduttività termica.

5) Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione: il rivestimento dovrebbe essere in grado di funzionare stabilmente in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

Posizionare il substrato da 4 pollici
Epitassia blu-verde per la crescita del LED
Ospitato nella camera di reazione
Contatto diretto con la cialda Posizionare il substrato da 4 pollici
Utilizzato per far crescere la pellicola epitassiale UV LED
Ospitato nella camera di reazione
Contatto diretto con la cialda Macchina Veeco K868/Veeco K700
Epitassia LED bianco/Epitassia LED blu-verde Utilizzato nelle apparecchiature VEECO
Per l'epitassia MOCVD
Suscettore di rivestimento SiC Attrezzatura Aixtron TS
Epitassia ultravioletta profonda
Substrato da 2 pollici Attrezzatura Veeco
Epitassia LED rosso-giallo
Substrato wafer da 4 pollici Suscettore rivestito in TaC
(Ricevitore SiC Epi/UV LED) Suscettore rivestito in SiC
(Suscettore ALD/ Si Epi/ LED MOCVD)

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Riscaldatore MOCVD in grafite con rivestimento SiC

VeTeK Semiconductor produce riscaldatore MOCVD in grafite con rivestimento SiC, che è un componente chiave del processo MOCVD. Basata su un substrato di grafite di elevata purezza, la superficie è rivestita con un rivestimento SiC di elevata purezza per fornire un'eccellente stabilità alle alte temperature e resistenza alla corrosione. Con servizi di alta qualità e prodotti altamente personalizzati, il riscaldatore MOCVD in grafite con rivestimento SiC di VeTeK Semiconductor è la scelta ideale per garantire la stabilità del processo MOCVD e la qualità della deposizione di film sottile. VeTeK Semiconductor non vede l'ora di diventare il tuo partner.

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Suscettore Epi rivestito in carburo di silicio

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore leader di prodotti di rivestimento SiC in Cina. Il suscettore Epi rivestito in SiC di VeTek Semiconductor ha il massimo livello di qualità del settore, è adatto a diversi stili di forni a crescita epitassiale e fornisce servizi di prodotto altamente personalizzati. VeTek Semiconductor non vede l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Copertura satellitare rivestita in SiC per MOCVD

In qualità di produttore e fornitore leader di coperture satellitari rivestite in SiC per prodotti MOCVD in Cina, le coperture satellitari rivestite in SiC di Vetek Semiconductor per prodotti MOCVD hanno un'estrema resistenza alle alte temperature, un'eccellente resistenza all'ossidazione e un'eccellente resistenza alla corrosione, svolgendo un ruolo insostituibile nel garantire un'epitassiale di alta qualità. crescita sui wafer. Accolga favorevolmente le vostre ulteriori richieste.

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Supporto per barilotto di wafer rivestito in SiC CVD

Wafer rivestito in SiC CVD Il supporto del barilotto è il componente chiave del forno a crescita epitassiale, ampiamente utilizzato nei forni a crescita epitassiale MOCVD. VeTek Semiconductor fornisce prodotti altamente personalizzati. Indipendentemente dalle tue esigenze per il supporto per barilotto per wafer rivestito SiC CVD, non esitare a consultarci.

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Suscettore Epi wafer con rivestimento CVD SiC

Il wafer di rivestimento SiC CVD di VeTek Semiconductor Il suscettore Epi è un componente indispensabile per la crescita epitassiale del SiC, offrendo gestione termica, resistenza chimica e stabilità dimensionale superiori. Scegliendo il suscettore Epi wafer con rivestimento CVD SiC di VeTek Semiconductor, migliorerai le prestazioni dei tuoi processi MOCVD, ottenendo prodotti di qualità superiore e una maggiore efficienza nelle operazioni di produzione dei semiconduttori. Accolga favorevolmente le vostre ulteriori richieste.

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Suscettore in grafite con rivestimento CVD SiC

Il suscettore in grafite con rivestimento CVD SiC di VeTek Semiconductor è uno dei componenti importanti nel settore dei semiconduttori come la crescita epitassiale e la lavorazione dei wafer. Viene utilizzato nel MOCVD e in altre apparecchiature per supportare la lavorazione e la manipolazione di wafer e altri materiali ad alta precisione. VeTek Semiconductor dispone delle capacità produttive e produttive leader in Cina di suscettori in grafite rivestita in SiC e in grafite rivestita in TaC e attende con impazienza la vostra consulenza.

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In qualità di produttore e fornitore professionale Tecnologia MOCVD in Cina, abbiamo la nostra fabbrica. Se hai bisogno di servizi personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche della tua regione o desideri acquistare Tecnologia MOCVD avanzati e durevoli prodotti in Cina, puoi lasciarci un messaggio.