Porta wafer satellitare Aixtron
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Porta wafer satellitare Aixtron

In qualità di produttore e innovatore professionale di prodotti Aixtron Satellite Wafer Carrier in Cina, Aixtron Satellite Wafer Carrier di VeTek Semiconductor è un wafer carrier utilizzato nelle apparecchiature AIXTRON, utilizzato principalmente nei processi MOCVD nella lavorazione dei semiconduttori ed è particolarmente adatto per alte temperature e alta precisione processi di lavorazione dei semiconduttori. Il supporto può fornire un supporto stabile del wafer e una deposizione uniforme della pellicola durante la crescita epitassiale MOCVD, che è essenziale per il processo di deposizione degli strati. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.

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Descrizione del prodotto

Aixtron Satellite Wafer Carrier è parte integrante dell'apparecchiatura AIXTRON MOCVD, utilizzata appositamente per trasportare wafer per la crescita epitassiale. È particolarmente adatto per ilcrescita epitassialeprocesso di dispositivi GaN e carburo di silicio (SiC). Il suo esclusivo design "satellitare" non solo garantisce l'uniformità del flusso di gas, ma migliora anche l'uniformità della deposizione della pellicola sulla superficie del wafer.


Quello di Aixtronportawafersono solitamente costituiticarburo di silicio (SiC)o grafite rivestita in CVD. Tra questi, il carburo di silicio (SiC) ha un'eccellente conduttività termica, resistenza alle alte temperature e basso coefficiente di dilatazione termica. La grafite rivestita CVD è una grafite rivestita con una pellicola di carburo di silicio attraverso un processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), che può migliorarne la resistenza alla corrosione e la resistenza meccanica. I materiali SiC e grafite rivestita possono resistere a temperature fino a 1.400°C–1.600°C e hanno un'eccellente stabilità termica alle alte temperature, che è fondamentale per il processo di crescita epitassiale.


Aixtron G5 MOCVD Susceptor


Aixtron Satellite Wafer Carrier is mainly used to carry and rotate wafers in the Processo MOCVDper garantire un flusso di gas uniforme e una deposizione uniforme durante la crescita epitassiale.Le funzioni specifiche sono le seguenti:


Rotazione del wafer e deposizione uniforme: Attraverso la rotazione del vettore satellitare Aixtron, il wafer può mantenere un movimento stabile durante la crescita epitassiale, consentendo al gas di fluire uniformemente sulla superficie del wafer per garantire una deposizione uniforme dei materiali.

Cuscinetto e stabilità alle alte temperature: I materiali in carburo di silicio o in grafite rivestita possono resistere a temperature fino a 1.400°C–1.600°C. Questa caratteristica garantisce che il wafer non si deformi durante la crescita epitassiale ad alta temperatura, impedendo al contempo che l'espansione termica del supporto stesso influisca sul processo epitassiale.

Generazione di particelle ridotta: I materiali di supporto di alta qualità (come il SiC) hanno superfici lisce che riducono la generazione di particelle durante la deposizione di vapore, riducendo così al minimo la possibilità di contaminazione, che è fondamentale per la produzione di materiali semiconduttori di elevata purezza e alta qualità.


Il supporto per wafer satellitare Aixtron di VeTek Semiconductor è disponibile in dimensioni wafer da 100 mm, 150 mm, 200 mm e anche più grandi e può fornire servizi di prodotto personalizzati in base alle vostre apparecchiature e ai requisiti di processo. Speriamo sinceramente di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.


DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC


SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Aixtron Satellite wafer carrier Negozi di produzione:



Aixtron Satellite wafer carrier Production shops


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:


semiconductor chip epitaxy industry chain


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