Cina Processo RTA/RTP Produttore, fornitore, fabbrica

VeTek Semiconductor fornisce un supporto per wafer di processo RTA/RTP, realizzato in grafite ad elevata purezza e rivestimento SiC con impurità inferiore a 5 ppm.

Il forno di ricottura rapida è un tipo di attrezzatura per il trattamento di ricottura dei materiali e il processo RTA/RTP, controllando il processo di riscaldamento e raffreddamento del materiale, può migliorare la struttura cristallina del materiale, ridurre lo stress interno e migliorare le caratteristiche meccaniche e fisiche proprietà del materiale. Uno dei componenti principali nella camera del forno di ricottura rapida è il supporto wafer/suscettore wafer per il caricamento dei wafer. Come riscaldatore per wafer nella camera di processo, questa piastra portante svolge un ruolo importante nel trattamento di riscaldamento rapido e di equalizzazione della temperatura.

Il carburo di silicio, il nitruro di alluminio e il carburo di silicio grafite sono materiali disponibili per il forno di ricottura rapida e la scelta principale sul mercato è il rivestimento in grafite e carburo di silicio. Di seguito sono riportate le caratteristiche e le eccellenti prestazioni del supporto per wafer di processo RTA RTP rivestito in SiC di VeTek Semiconductor:

-Stabilità alle alte temperature: il rivestimento SiC mostra un'eccezionale stabilità alle alte temperature, garantendo l'integrità della struttura e la resistenza meccanica anche a temperature estreme. Questa capacità lo rende particolarmente adatto ai processi di trattamento termico più impegnativi.

-Eccellente conduttività termica: lo strato di rivestimento SiC possiede un'eccezionale conduttività termica, consentendo una distribuzione del calore rapida e uniforme. Ciò si traduce in un trattamento termico più rapido, riducendo significativamente i tempi di riscaldamento e migliorando la produttività complessiva. Migliorando l'efficienza del trasferimento di calore, contribuisce a una maggiore efficienza produttiva e a una qualità del prodotto superiore.

-Inerzia chimica: l'inerzia chimica intrinseca del carburo di silicio fornisce un'eccellente resistenza alla corrosione da parte di vari prodotti chimici. Il nostro supporto per wafer in carburo di silicio rivestito di carbonio può funzionare in modo affidabile in diversi ambienti chimici senza contaminare o danneggiare i wafer.

- Planarità superficiale: lo strato di carburo di silicio CVD garantisce una superficie altamente piatta e liscia, garantendo un contatto stabile con i wafer durante il trattamento termico. Ciò elimina l'introduzione di ulteriori difetti superficiali, garantendo risultati di lavorazione ottimali.

-Leggero e ad alta resistenza: il nostro supporto per wafer RTP rivestito in SiC è leggero ma possiede una resistenza notevole. Questa caratteristica facilita il carico e lo scarico convenienti e affidabili dei wafer.

Come utilizzare il supporto wafer RTA RTP Process

Ricevitore wafer e coperchio del ricevitore con rivestimento SiC di VeTek Semiconductor

Ricevitore RTA RTP Porta wafer RTA RTP Vassoio RTP (per trattamento termico rapido RTA) Vassoio RTP (per trattamento termico rapido RTA) Ricevitore RTP Vassoio di supporto wafer RTP