Cina Processo di epitassia SiC Produttore, fornitore, fabbrica

Gli esclusivi rivestimenti in carburo di VeTek Semiconductor forniscono una protezione superiore per le parti in grafite nel processo epitassia SiC per la lavorazione di materiali semiconduttori e semiconduttori compositi esigenti. Il risultato è una maggiore durata dei componenti della grafite, la preservazione della stechiometria della reazione, l'inibizione della migrazione delle impurità all'epitassia e applicazioni di crescita dei cristalli, con conseguente aumento della resa e della qualità.

I nostri rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) proteggono i componenti critici di forni e reattori ad alte temperature (fino a 2200°C) da ammoniaca calda, idrogeno, vapori di silicio e metalli fusi. VeTek Semiconductor dispone di un'ampia gamma di funzionalità di elaborazione e misurazione della grafite per soddisfare le vostre esigenze personalizzate, quindi possiamo offrire un rivestimento a pagamento o un servizio completo, con il nostro team di ingegneri esperti pronti a progettare la soluzione giusta per voi e la vostra applicazione specifica .

Cristalli semiconduttori composti

VeTek Semiconductor può fornire rivestimenti TaC speciali per vari componenti e supporti. Attraverso il processo di rivestimento leader del settore di VeTek Semiconductor, il rivestimento TaC può ottenere elevata purezza, stabilità alle alte temperature ed elevata resistenza chimica, migliorando così la qualità del prodotto degli strati cristallini di TaC/GaN ed EPl e prolungando la durata dei componenti critici del reattore.

Isolanti termici

Componenti per la crescita dei cristalli SiC, GaN e AlN tra cui crogioli, supporti per semi, deflettori e filtri. Assemblaggi industriali tra cui elementi riscaldanti resistivi, ugelli, anelli di schermatura e dispositivi di brasatura, componenti di reattori CVD epitassiali GaN e SiC inclusi supporti wafer, vassoi satellitari, soffioni doccia, cappucci e piedistalli, componenti MOCVD.

Scopo:

Supporto per wafer LED (diodo a emissione luminosa).

Ricevitore ALD (semiconduttore).

Recettore EPI (processo epitassia SiC)

Suscettore satellitare rivestito in TaC Suscettore e anello di rivestimento TaC Parti con rivestimento TaC Parti Halfmoon con rivestimento TaC

Confronto tra rivestimento SiC e rivestimento TaC: