Carburo di tantalio poroso

Carburo di tantalio poroso

VeTek Semiconductor è un produttore professionale e leader di prodotti in carburo di tantalio poroso in Cina. Il carburo di tantalio poroso viene solitamente prodotto mediante il metodo di deposizione chimica in fase vapore (CVD), garantendo un controllo preciso della dimensione e della distribuzione dei pori ed è uno strumento materiale dedicato agli ambienti estremi ad alta temperatura. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.

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Descrizione del prodotto

Il carburo di tantalio poroso (TaC) del semiconduttore VeTek è un materiale ceramico ad alte prestazioni che combina le proprietà del tantalio e del carbonio. La sua struttura porosa è molto adatta per applicazioni specifiche ad alte temperature e ambienti estremi. Il TaC combina eccellente durezza, stabilità termica e resistenza chimica, rendendolo la scelta del materiale ideale nella lavorazione dei semiconduttori.


Il carburo di tantalio poroso (TaC) è composto da tantalio (Ta) e carbonio (C), in cui il tantalio forma un forte legame chimico con gli atomi di carbonio, conferendo al materiale una durata e una resistenza all'usura estremamente elevate. La struttura porosa del Porous TaC viene creata durante il processo di produzione del materiale e la porosità può essere controllata in base alle esigenze applicative specifiche. Questo prodotto è solitamente prodotto dadeposizione chimica da fase vapore (CVD)metodo, garantendo un controllo preciso della dimensione e della distribuzione dei pori.


Molecular structure of Tantalum Carbide

Struttura molecolare del carburo di tantalio


Il carburo di tantalio poroso (TaC) dei semiconduttori VeTek ha le seguenti caratteristiche del prodotto:


- Porosità: La struttura porosa gli conferisce diverse funzioni in scenari applicativi specifici, tra cui la diffusione del gas, la filtrazione o la dissipazione controllata del calore.

- Alto punto di fusione: Il carburo di tantalio ha un punto di fusione estremamente elevato di circa 3.880°C, adatto ad ambienti con temperature estremamente elevate.

- Eccellente durezza: Il TaC poroso ha una durezza estremamente elevata di circa 9-10 nella scala di Mohs, simile al diamante. e può resistere all'usura meccanica in condizioni estreme.

- Stabilità termica: Il materiale in carburo di tantalio (TaC) può rimanere stabile in ambienti ad alta temperatura e ha una forte stabilità termica, garantendo prestazioni costanti in ambienti ad alta temperatura.

- Alta conducibilità termica: Nonostante la sua porosità, il carburo di tantalio poroso mantiene ancora una buona conduttività termica, garantendo un efficiente trasferimento di calore.

- Basso coefficiente di dilatazione termica: Il basso coefficiente di espansione termica del carburo di tantalio (TaC) aiuta il materiale a rimanere dimensionalmente stabile in caso di significative fluttuazioni di temperatura e riduce l'impatto dello stress termico.


Proprietà fisiche del rivestimento TaC

Proprietà fisiche diRivestimento TaC
Densità
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6,3*10-6/K
Durezza (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza
1×10-5 Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10~-20um
Spessore del rivestimento
Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Nella produzione di semiconduttori, il carburo di tantalio poroso (TaC) svolge il seguente ruolo chiave specificoS:


Nei processi ad alta temperatura comeattacco al plasmae CVD, il carburo di tantalio poroso dei semiconduttori VeTek viene spesso utilizzato come rivestimento protettivo per le apparecchiature di lavorazione. Ciò è dovuto alla forte resistenza alla corrosione diRivestimento TaCe la sua stabilità alle alte temperature. Queste proprietà assicurano che protegga efficacemente le superfici esposte a gas reattivi o temperature estreme, garantendo così la normale reazione dei processi ad alta temperatura.


Nei processi di diffusione, il carburo di tantalio poroso può fungere da efficace barriera alla diffusione per impedire la miscelazione dei materiali nei processi ad alta temperatura. Questa funzionalità viene spesso utilizzata per controllare la diffusione di droganti in processi come l'impianto di ioni e il controllo della purezza dei wafer semiconduttori.


La struttura porosa del carburo di tantalio poroso per semiconduttori VeTek è molto adatta per ambienti di lavorazione dei semiconduttori che richiedono un controllo preciso del flusso di gas o una filtrazione. In questo processo, il TaC poroso svolge principalmente il ruolo di filtrazione e distribuzione del gas. La sua inerzia chimica garantisce che durante il processo di filtrazione non vengano introdotti contaminanti. Ciò garantisce efficacemente la purezza del prodotto lavorato.


Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 41


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