VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader in Cina di coperture rivestite in carburo di tantalio. Siamo specializzati nel rivestimento TaC e SiC da molti anni. I nostri prodotti hanno resistenza alla corrosione ed elevata resistenza. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Trova una vasta selezione di coperture rivestite in carburo di tantalio dalla Cina su VeTek Semiconductor. Fornire un servizio post-vendita professionale e il giusto prezzo, in attesa di collaborazione. La copertura rivestita in carburo di tantalio sviluppata da VeTek Semiconductor è un accessorio progettato specificamente per il sistema AIXTRON G10 MOCVD, con l'obiettivo di ottimizzare l'efficienza e migliorare la qualità della produzione dei semiconduttori. È realizzato meticolosamente utilizzando materiali di alta qualità e prodotto con la massima precisione, garantendo prestazioni e affidabilità eccezionali per i processi di deposizione di vapori chimici metallo-organici (MOCVD).
Costruita con un substrato di grafite rivestito con carburo di tantalio (TaC) mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD), la copertura rivestita in carburo di tantalio offre eccezionale stabilità termica, elevata purezza e resistenza alle temperature elevate. Questa combinazione unica di materiali fornisce una soluzione affidabile per le difficili condizioni operative del sistema MOCVD.
La copertura rivestita in carburo di tantalio è personalizzabile per accogliere wafer di semiconduttori di varie dimensioni, rendendolo adatto a diverse esigenze di produzione. La sua struttura robusta è progettata specificamente per resistere al difficile ambiente MOCVD, garantendo prestazioni di lunga durata e riducendo al minimo i tempi di inattività e i costi di manutenzione associati ai supporti wafer e ai suscettori.
Incorporando la copertura TaC nel sistema AIXTRON G10 MOCVD, i produttori di semiconduttori possono ottenere una maggiore efficienza e risultati superiori. L'eccezionale stabilità termica, la compatibilità con diverse dimensioni di wafer e le prestazioni affidabili del disco planetario lo rendono uno strumento indispensabile per ottimizzare l'efficienza produttiva e ottenere risultati eccezionali nel processo MOCVD.
Proprietà fisiche del rivestimento TaC | |
Densità | 14,3 (g/cm³) |
Emissività specifica | 0.3 |
Coefficiente di dilatazione termica | 6.310-6/K |
Durezza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistenza | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilità termica | <2500 ℃ |
La dimensione della grafite cambia | -10~-20um |
Spessore del rivestimento | Valore tipico ≥20um (35um±10um) |