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Mezzaluna inferiore in grafite ultra pura
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Mezzaluna inferiore in grafite ultra pura

VeTek Semiconductor è un fornitore leader di Halfmoon inferiori in grafite ultra pura personalizzati in Cina, specializzato in materiali avanzati da molti anni. La nostra Halfmoon inferiore in grafite ultra pura è progettata specificamente per apparecchiature epitassiali SiC, garantendo prestazioni eccellenti. Realizzato in grafite importata ultrapura, offre affidabilità e durata. Visita la nostra fabbrica in Cina per esplorare in prima persona la nostra mezzaluna inferiore in grafite ultra pura di alta qualità.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore professionale dedicato a fornire Halfmoon inferiore in grafite ultra pura. I nostri prodotti Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon sono progettati specificamente per camere epitassiali SiC e offrono prestazioni superiori e compatibilità con vari modelli di apparecchiature.

Caratteristiche:

Connessione: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon è progettato per connettersi con tubi al quarzo, facilitando il flusso di gas per guidare la rotazione della base del supporto.

Controllo della temperatura: il prodotto consente il controllo della temperatura, garantendo condizioni ottimali all'interno della camera di reazione.

Design senza contatto: installato all'interno della camera di reazione, il nostro Lower Halfmoon in grafite ultra pura non entra in contatto diretto con i wafer, garantendo l'integrità del processo.

Scenario applicativo:

Il nostro Lower Halfmoon in grafite ultra pura funge da componente critico nelle camere epitassiali SiC, dove aiuta a mantenere il contenuto di impurità al di sotto di 5 ppm. Monitorando attentamente parametri quali lo spessore e l'uniformità della concentrazione del drogante, garantiamo strati epitassiali della massima qualità.

Compatibilità:

Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon di VeTek Semiconductor è compatibile con un'ampia gamma di modelli di apparecchiature, tra cui LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH e così via.

Ti invitiamo a visitare la nostra fabbrica in Cina per esplorare in prima persona la nostra mezzaluna inferiore in grafite ultra pura di alta qualità.



Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura di cristallo FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità 3,21 g/cm³
Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2~10μm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica 300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1



Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:


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