In qualità di produttore e fabbrica avanzati di parti di tenuta SiC in Cina. La parte di tenuta SiC VeTek Semiconducto è un componente di tenuta ad alte prestazioni ampiamente utilizzato nella lavorazione dei semiconduttori e in altri processi ad alte temperature e pressioni estreme. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.
La parte sigillante SiC svolge un ruolo chiave nella lavorazione dei semiconduttori. Le sue eccellenti proprietà del materiale e l'effetto sigillante affidabile non solo migliorano l'efficienza produttiva, ma garantiscono anche la qualità e la sicurezza del prodotto.
Principali vantaggi della parte di tenuta in carburo di silicio:
Eccellente resistenza alla corrosione: Tra i materiali ceramici avanzati, la parte sigillante VeTeksemi SiC può avere la migliore resistenza alla corrosione in ambienti acidi e alcalini. Questa resistenza alla corrosione senza precedenti garantisce che la parte di tenuta SiC possa funzionare efficacemente in ambienti chimicamente corrosivi, rendendolo un materiale indispensabile nelle industrie che sono spesso esposte a sostanze corrosive.
Leggero e resistente: Il carburo di silicio ha una densità di circa 3,2 g/cm³ e, nonostante sia un materiale ceramico leggero, la resistenza del carburo di silicio è paragonabile a quella del diamante. Questa combinazione di leggerezza e resistenza migliora le prestazioni dei componenti meccanici, aumentando così l'efficienza e riducendo l'usura nelle applicazioni industriali più impegnative. La natura leggera della parte di tenuta SiC facilita inoltre la movimentazione e l'installazione più semplici dei componenti.
Durezza estremamente elevata ed elevata conduttività termica: Il carburo di silicio ha una durezza Mohs di 9~10, paragonabile al diamante. Questa proprietà, combinata con l'elevata conduttività termica (circa 120-200 W/m·K a temperatura ambiente), consente alle guarnizioni SiC di funzionare in condizioni che danneggerebbero i materiali di qualità inferiore. Le eccellenti proprietà meccaniche del SiC vengono mantenute a temperature fino a 1600°C, garantendo che le guarnizioni SiC rimangano robuste e affidabili anche in applicazioni ad alta temperatura.
Elevata durezza e resistenza all'usura: Il Carburo di Silicio è caratterizzato da forti legami covalenti all'interno del suo reticolo cristallino, che gli conferiscono elevata durezza e un notevole modulo elastico. Queste proprietà si traducono in un'eccellente resistenza all'usura, riducendo la probabilità di flessione o deformazione anche dopo un uso prolungato. Ciò rende il SiC una scelta eccellente per le parti di tenuta in SiC soggette a continue sollecitazioni meccaniche e condizioni abrasive.
Formazione di strati protettivi di biossido di silicio: Se esposto a temperature di circa 1300°C in un ambiente ricco di ossigeno, il carburo di silicio forma un biossido di silicio protettivo (SiO2) strato sulla sua superficie. Questo strato funge da barriera, prevenendo ulteriore ossidazione e interazioni chimiche. Come il SiO2Lo strato si ispessisce, protegge ulteriormente il SiC sottostante da altre reazioni. Questo processo di ossidazione autolimitante conferisce al SiC un'eccellente resistenza chimica e stabilità, rendendo le guarnizioni SiC adatte all'uso in ambienti reattivi e ad alta temperatura.
Versatilità nelle applicazioni ad alte prestazioni:Le proprietà uniche del carburo di silicio lo rendono versatile ed efficiente in una varietà di applicazioni ad alte prestazioni. Dalle tenute meccaniche e cuscinetti agli scambiatori di calore e ai componenti delle turbine, la capacità delle parti di tenuta SiC di resistere a condizioni estreme e mantenere la propria integrità lo rende il materiale preferito nelle soluzioni ingegneristiche avanzate.
VeTek Semiconductor è impegnata a fornire tecnologie avanzate e soluzioni di prodotto per l'industria dei semiconduttori. Inoltre, i nostri prodotti SiC includono ancheRivestimento in carburo di silicio, Ceramica al carburo di silicioEProcesso di epitassia SiCprodotti. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.
DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC: