VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader in Cina di soffioni per doccia a gas SiC solido. Siamo specializzati in materiali semiconduttori da molti anni. Il design multiporosità del soffione per doccia a gas SiC solido di VeTek Semiconductor garantisce che il calore generato nel processo CVD possa essere disperso , assicurando che il substrato sia riscaldato in modo uniforme. Non vediamo l'ora di stabilire una collaborazione a lungo termine con voi in Cina.
VeTek Semiconductor è una società integrata dedicata alla ricerca, produzione e vendita. Con oltre 20 anni di esperienza, il nostro team è specializzato in rivestimenti SiC, TaC e SiC solido CVD. Benvenuti ad acquistare da noi il soffione doccia a gas SiC solido.
I soffioni doccia a gas SiC solidi VeTek Semiconductor sono comunemente utilizzati per distribuire uniformemente i gas precursori sulla superficie del substrato durante i processi CVD dei semiconduttori. L'utilizzo del materiale CVD-SiC per i soffioni doccia offre numerosi vantaggi. La sua elevata conduttività termica aiuta a dissipare il calore generato nel processo CVD, garantendo una distribuzione uniforme della temperatura sul substrato. Inoltre, la stabilità chimica del soffione doccia CVD sic gli consente di resistere ai gas corrosivi e agli ambienti difficili comunemente incontrati nei processi CVD.
Il design dei soffioni doccia CVD SiC può essere adattato a specifici sistemi CVD e requisiti di processo. Tuttavia, in genere sono costituiti da una piastra o da un componente a forma di disco con una serie di fori o fessure praticati con precisione. La disposizione e la geometria dei fori sono progettate attentamente per garantire una distribuzione uniforme del gas e una velocità del flusso sulla superficie del substrato.
Proprietà fisiche del SiC solido | |||
Densità | 3.21 | g/cm3 | |
Resistività elettrica | 102 | Ω/cm | |
Resistenza alla flessione | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Modulo di Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Durezza Vickers | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
C.T.E.(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conducibilità termica (RT) | 250 | W/mK |