VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader in Cina di soffioni per doccia a gas SiC solido. Siamo specializzati in materiali semiconduttori da molti anni. Il design multiporosità del soffione per doccia a gas SiC solido di VeTek Semiconductor garantisce che il calore generato nel processo CVD possa essere disperso , assicurando che il substrato sia riscaldato in modo uniforme. Non vediamo l'ora di stabilire una collaborazione a lungo termine con voi in Cina.
VeTek Semiconductor è una società integrata dedicata alla ricerca, produzione e vendita. Con oltre 20 anni di esperienza, il nostro team è specializzato in rivestimenti SiC, TaC e SiC solido CVD. Benvenuti ad acquistare da noi il soffione doccia a gas SiC solido.
I soffioni doccia a gas SiC solidi VeTek Semiconductor sono comunemente utilizzati per distribuire uniformemente i gas precursori sulla superficie del substrato durante i processi CVD dei semiconduttori. L'utilizzo del materiale CVD-SiC per i soffioni doccia offre numerosi vantaggi. La sua elevata conduttività termica aiuta a dissipare il calore generato nel processo CVD, garantendo una distribuzione uniforme della temperatura sul substrato. Inoltre, la stabilità chimica del soffione doccia a gas Solid SiC gli consente di resistere ai gas corrosivi e agli ambienti difficili comunemente incontrati nei processi CVD. Il design dei soffioni doccia CVD-SiC può essere adattato a specifici sistemi CVD e requisiti di processo. Tuttavia, in genere sono costituiti da una piastra o da un componente a forma di disco con una serie di fori o fessure praticati con precisione. La disposizione e la geometria dei fori sono progettate attentamente per garantire una distribuzione uniforme del gas e una velocità del flusso sulla superficie del substrato.
Proprietà fisiche del SiC solido | |||
Densità | 3.21 | g/cm3 | |
Resistività elettrica | 102 | Ω/cm | |
Resistenza alla flessione | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Modulo di Young | 450 | GPa | (6000kgf/mm²) |
Durezza Vickers | 26 | GPa | (2650 kgf/mm²) |
C.T.E.(RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conducibilità termica (RT) | 250 | W/mK |