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Anello di messa a fuoco in SiC solido
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Anello di messa a fuoco in SiC solido

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader in Cina di anelli di messa a fuoco incisivi in ​​SiC solido. Siamo specializzati in materiali SiC da molti anni. Il SiC solido è scelto come materiale per anelli di messa a fuoco grazie alla sua eccellente stabilità termochimica, elevata resistenza meccanica e resistenza al plasma erosione. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Puoi essere certo di acquistare un anello di messa a fuoco per incisione in SiC solido dalla nostra fabbrica. La tecnologia rivoluzionaria di VeTek Semiconductor consente la produzione di anelli di messa a fuoco incisivi SiC solidi, un materiale in carburo di silicio di altissima purezza creato attraverso il processo di deposizione chimica da vapore.

L'anello di focalizzazione dell'incisione SiC solido viene utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare nei sistemi di incisione al plasma. Il solido anello di messa a fuoco per incisione SiC è un componente fondamentale che aiuta a ottenere un'incisione precisa e controllata dei wafer in carburo di silicio (SiC).


Durante il processo di incisione al plasma, l'anello di messa a fuoco svolge molteplici ruoli:

1. Focalizzazione del plasma: l'anello di messa a fuoco dell'incisione solida del SiC aiuta a modellare e concentrare il plasma attorno al wafer, garantendo che il processo di incisione avvenga in modo uniforme ed efficiente. Aiuta a confinare il plasma nell'area desiderata, prevenendo attacchi vaganti o danni alle regioni circostanti.

2. Protezione delle pareti della camera: l'anello di focalizzazione funge da barriera tra il plasma e le pareti della camera, prevenendo il contatto diretto e potenziali danni. Il SiC è altamente resistente all'erosione del plasma e fornisce un'eccellente protezione per le pareti della camera.

3. Controllo della temperatura: l'anello di focalizzazione aiuta a mantenere una distribuzione uniforme della temperatura sul wafer durante il processo di incisione. Aiuta a dissipare il calore e previene surriscaldamenti localizzati o gradienti termici che potrebbero influenzare i risultati della mordenzatura.

Il SiC solido viene scelto per gli anelli di focalizzazione grazie alla sua eccezionale stabilità termica e chimica, all'elevata resistenza meccanica e alla resistenza all'erosione del plasma. Queste proprietà rendono il SiC un materiale adatto per le condizioni difficili e impegnative all'interno dei sistemi di incisione al plasma.

Vale la pena notare che il design e le specifiche degli anelli di focalizzazione possono variare a seconda dello specifico sistema di incisione al plasma e dei requisiti del processo. VeTek Semiconductor ottimizza la forma, le dimensioni e le caratteristiche della superficie degli anelli di messa a fuoco per garantire prestazioni di incisione e longevità ottimali. Il SiC solido è ampiamente utilizzato per supporti wafer, suscettori, wafer fittizi, anelli guida, parti per il processo di incisione, processo CVD, ecc.


Parametro del prodotto dell'anello di messa a fuoco incisivo SiC solido

Proprietà fisiche del SiC solido
Densità 3.21 g/cm3
Resistività elettrica 102 Ω/cm
Resistenza alla flessione 590 MPa (6000 kgf/cm2)
Modulo di Young 450 GPa (6000kgf/mm²)
Durezza Vickers 26 GPa (2650 kgf/mm²)
C.T.E.(RT-1000℃) 4.0 x10-6/K
Conducibilità termica (RT) 250 W/mK


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


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