Suscettore cilindrico rivestito in SiC per LPE PE2061S

VeTek Semiconductor è uno dei principali produttori e innovatori di suscettori cilindrici rivestiti in SiC per LPE PE2061S in Cina. Siamo specializzati in materiali di rivestimento SiC da molti anni. Offriamo un suscettore cilindrico rivestito in SiC progettato specificamente per wafer LPE PE2061S da 4 pollici. Questo suscettore è dotato di un rivestimento durevole in carburo di silicio che migliora le prestazioni e la durata durante il processo LPE (epitassia a fase liquida). Vi diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica in Cina.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un suscettore professionale a barilotto rivestito in SiC cinese perLPE PE2061Sproduttore e fornitore.

Il suscettore cilindrico rivestito in SiC di VeTeK Semiconductor per LPE PE2061S è un prodotto ad alte prestazioni creato applicando uno strato sottile di carburo di silicio sulla superficie di grafite isotropa altamente purificata. Ciò è ottenuto attraverso la tecnologia proprietaria di VeTeK SemiconductorDeposizione chimica da fase vapore (CVD)processo.

Il nostro suscettore a barilotto rivestito in SiC per LPE PE2061S è un tipo di reattore a barilotto a deposizione epitassiale CVD progettato per fornire prestazioni affidabili in ambienti estremi. L'eccezionale adesione del rivestimento, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione lo rendono una scelta eccellente per l'uso in condizioni difficili. Inoltre, il suo profilo termico uniforme e il modello di flusso laminare del gas prevengono la contaminazione, garantendo una crescita epitassiale di alta qualità.

Il design a forma di botte del nostro semiconduttorereattore epitassialeottimizza i modelli di flusso laminare del gas, garantendo una distribuzione uniforme del calore. Ciò aiuta a prevenire qualsiasi contaminazione o diffusione di impurità,garantendo una crescita epitassiale di alta qualità sui substrati dei wafer.

Ci impegniamo a fornire ai nostri clienti prodotti di alta qualità e convenienti. Il nostro Susceptor Barrel rivestito in SiC CVD offre il vantaggio della competitività dei prezzi pur mantenendo un'eccellente densità per entrambisubstrato di grafiteErivestimento in carburo di silicio, fornendo una protezione affidabile in ambienti di lavoro ad alta temperatura e corrosivi.

DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Il suscettore cilindrico rivestito in SiC per la crescita del singolo cristallo presenta una levigatezza superficiale molto elevata.

Riduce al minimo la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra il substrato di grafite e

rivestimento in carburo di silicio, che migliora efficacemente la forza di adesione e previene fessurazioni e delaminazione.

Sia il substrato di grafite che il rivestimento in carburo di silicio hanno un'elevata conduttività termica ed eccellenti capacità di distribuzione termica.

Ha un alto punto di fusione, alta temperaturaresistenza all'ossidazione, Eresistenza alla corrosione.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura cristallina	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica	300W·m^-1·K^-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Suscettore cilindrico rivestito in SiC di VeTek Semiconductor per l'officina di produzione LPE PE2061S:

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

semiconductor chip epitaxy industry chain

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