Portawafer orizzontale SiC

VeTek SemiconductorPortawafer orizzontale SiC/La barca ha un punto di fusione estremamente elevato (circa 2700°C), che consente ilPortawafer orizzontale SiC/La barca funziona stabilmente in ambienti ad alta temperatura senza deformazioni o degrado. Questa caratteristica è particolarmente importante nel processo di produzione dei semiconduttori, soprattutto in processi come la ricottura ad alta temperatura o la deposizione chimica in fase vapore (CVD).

ILPortawafer orizzontale SiC/La barca svolge specificamente i seguenti ruoli nel processo di trasporto dei portawafer:

Trasporto e supporto del wafer di silicio: La Wafer Boat orizzontale SiC viene utilizzata principalmente per trasportare e supportare wafer di silicio durante la produzione di semiconduttori. Può disporre saldamente insieme più wafer di silicio per garantire che rimangano in buona posizione e stabilità durante l'intero processo di lavorazione.

Riscaldamento e raffreddamento uniformi: Grazie all'elevata conduttività termica del SiC, il Wafer Boat può distribuire efficacemente il calore in modo uniforme su tutti i wafer di silicio. Ciò aiuta a ottenere un riscaldamento o un raffreddamento uniforme dei wafer di silicio durante la lavorazione ad alta temperatura, garantendo coerenza e affidabilità del processo di lavorazione.

Prevenire la contaminazione: La stabilità chimica del SiC gli consente di funzionare bene in ambienti con gas corrosivi e ad alta temperatura, riducendo così l'esposizione dei wafer di silicio a possibili contaminanti o reagenti, garantendo la purezza e la qualità dei wafer di silicio.

Infatti, la Wafer Boat orizzontale SiC può svolgere il ruolo di cui sopra grazie alle sue caratteristiche uniche del prodotto:

Eccellente stabilità chimica: Il materiale SiC ha un'eccellente resistenza alla corrosione nei confronti di una varietà di mezzi chimici. Nel processo di lavorazione di gas o liquidi corrosivi, SiC Wafer Boat può resistere efficacemente alla corrosione chimica e proteggere i wafer di silicio da contaminazione o danni.

Alta conduttività termica: L'elevata conduttività termica del SiC aiuta a distribuire uniformemente il calore nel processo di trasporto e a ridurre l'accumulo di calore. Ciò può migliorare l'accuratezza del controllo della temperatura durante la lavorazione di precisione e garantire un riscaldamento o un raffreddamento uniforme dei wafer di silicio.

Basso coefficiente di dilatazione termica: Il basso coefficiente di espansione termica del materiale SiC significa che la variazione dimensionale del SiC Wafer Boat è molto piccola durante le variazioni di temperatura. Ciò aiuta a mantenere la stabilità dimensionale durante la lavorazione ad alta temperatura e previene la deformazione o lo spostamento di posizione dei wafer di silicio causati dall'espansione termica.

Proprietà fisiche di base del supporto per wafer SiC orizzontale:

Negozio di produzione di semiconduttori VeTek:

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori: