Pagaia a sbalzo SiC

La pala cantilever SiC di VeTek Semiconductor è un prodotto ad altissime prestazioni. La nostra pala a sbalzo SiC viene solitamente utilizzata nei forni di trattamento termico per la movimentazione e il supporto di wafer di silicio, deposizione chimica in fase vapore (CVD) e altri processi di lavorazione nei processi di produzione di semiconduttori. La stabilità alle alte temperature e l'elevata conduttività termica del materiale SiC garantiscono elevata efficienza e affidabilità nel processo di lavorazione dei semiconduttori. Ci impegniamo a fornire prodotti di alta qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Siete i benvenuti a venire nella nostra fabbrica Vetek Semiconductor per acquistare l'ultima paletta cantilever SiC più venduta, a basso prezzo e di alta qualità. Non vediamo l'ora di collaborare con te.

Caratteristiche della pala a sbalzo SiC di VeTek Semiconductor:

Stabilità alle alte temperature: in grado di mantenere la sua forma e struttura alle alte temperature, adatto a processi di lavorazione ad alta temperatura.

Resistenza alla corrosione: eccellente resistenza alla corrosione a una varietà di prodotti chimici e gas.

Elevata resistenza e rigidità: fornisce un supporto affidabile per prevenire deformazioni e danni.

Vantaggi della pala a sbalzo SiC di VeTek Semiconductor:

Alta precisione: l'elevata precisione di elaborazione garantisce un funzionamento stabile nelle apparecchiature automatizzate.

Bassa contaminazione: il materiale SiC ad elevata purezza riduce il rischio di contaminazione, il che è particolarmente importante per gli ambienti di produzione ultra puliti.

Elevate proprietà meccaniche: In grado di resistere ad ambienti di lavoro difficili con alte temperature e alte pressioni.

Applicazioni specifiche della pala cantilever in SiC e suo principio di applicazione

Movimentazione dei wafer di silicio nella produzione di semiconduttori:

La pala cantilever SiC viene utilizzata principalmente per gestire e supportare i wafer di silicio durante la produzione di semiconduttori. Questi processi solitamente includono la pulizia, l'incisione, il rivestimento e il trattamento termico. Principio di applicazione:

Movimentazione dei wafer di silicio: la pala cantilever SiC è progettata per bloccare e spostare in sicurezza i wafer di silicio. Durante i processi ad alta temperatura e di trattamento chimico, l'elevata durezza e resistenza del materiale SiC garantiscono che il wafer di silicio non venga danneggiato o deformato.

Processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD):

Nel processo CVD, la pala cantilever SiC viene utilizzata per trasportare wafer di silicio in modo che pellicole sottili possano essere depositate sulle loro superfici. Principio di applicazione:

Nel processo CVD, la pala cantilever SiC viene utilizzata per fissare il wafer di silicio nella camera di reazione e il precursore gassoso si decompone ad alta temperatura e forma una pellicola sottile sulla superficie del wafer di silicio. La resistenza alla corrosione chimica del materiale SiC garantisce un funzionamento stabile ad alte temperature e in ambienti chimici.

Parametro del prodotto della pala a sbalzo SiC

Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato
Proprietà	Valore tipico
Temperatura di lavoro (°C)	1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente)
Contenuto di SiC	> 99,96%
Contenuti Si gratuiti	<0,1%
Densità apparente	2,60-2,70 g/cm3
Porosità apparente	< 16%
Resistenza alla compressione	> 600MPa
Resistenza alla flessione a freddo	80-90MPa (20°C)
Resistenza alla flessione a caldo	90-100MPa (1400°C)
Dilatazione termica @1500°C	4.70 10-6/°C
Conduttività termica @1200°C	23 W/m•K
Modulo elastico	240 GPa
Resistenza agli shock termici	Estremamente buono