Protettore del rivestimento CVD SiC

Vetek Semiconductor fornisce la protezione del rivestimento CVD SiC utilizzata per l'epitassia SiC LPE. Il termine "LPE" si riferisce solitamente all'epitassia a bassa pressione (LPE) nella deposizione chimica in fase vapore a bassa pressione (LPCVD). Nella produzione di semiconduttori, LPE è un'importante tecnologia di processo per la crescita di film sottili monocristallini, spesso utilizzati per coltivare strati epitassiali di silicio o altri strati epitassiali di semiconduttori. Non esitate a contattarci per ulteriori domande.

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Descrizione del prodotto

La protezione del rivestimento CVD SiC di alta qualità è offerta dal produttore cinese Vetek Semiconductor. Acquista la protezione per rivestimento CVD SiC di alta qualità direttamente a un prezzo basso.

L'epitassia LPE SiC si riferisce all'uso della tecnologia dell'epitassia a bassa pressione (LPE) per far crescere strati epitassia di carburo di silicio su substrati di carburo di silicio. Il SiC è un eccellente materiale semiconduttore, con elevata conduttività termica, elevata tensione di rottura, elevata velocità di deriva degli elettroni saturi e altre eccellenti proprietà, viene spesso utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza.

L'epitassia LPE SiC è una tecnica di crescita comunemente usata che sfrutta i principi della deposizione chimica in fase vapore (CVD) per depositare un materiale di carburo di silicio su un substrato per formare la struttura cristallina desiderata alle giuste condizioni di temperatura, atmosfera e pressione. Questa tecnica epitassia può controllare l'adattamento del reticolo, lo spessore e il tipo di drogaggio dello strato epitassia, influenzando così le prestazioni del dispositivo.

I vantaggi dell'epitassia LPE SiC includono:

Elevata qualità dei cristalli: LPE può far crescere cristalli di alta qualità ad alte temperature.

Controllo dei parametri dello strato epitassiale: lo spessore, il drogaggio e l'adattamento reticolare dello strato epitassiale possono essere controllati con precisione per soddisfare i requisiti di un dispositivo specifico.

Adatto per dispositivi specifici: gli strati epitassiali SiC sono adatti per la produzione di dispositivi a semiconduttore con requisiti speciali come dispositivi di potenza, dispositivi ad alta frequenza e dispositivi ad alta temperatura.

Nell'epitassia LPE SiC, un prodotto tipico sono le parti a mezzaluna. Il protettore del rivestimento CVD SiC a monte e a valle, assemblato sulla seconda metà delle parti a mezzaluna, è collegato con un tubo al quarzo, che può far passare il gas per far ruotare la base del vassoio e controllare la temperatura. È una parte importante dell'epitassia del carburo di silicio.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura cristallina	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1