Suscettore epitassiale in grafite GaN per G5

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore cinese di suscettori epitassiali in grafite GaN per G5. Il suscettore in grafite epitassiale GaN per G5 è un componente critico utilizzato nel sistema di deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) Aixtron G5 per la crescita di film sottili di nitruro di gallio (GaN) di alta qualità, svolge un ruolo cruciale nel garantire una temperatura uniforme distribuzione, efficiente trasferimento di calore e contaminazione minima durante il processo di crescita.

Caratteristiche principali del suscettore epitassiale in grafite GaN di VeTek Semiconductor per G5:

-Elevata purezza: il suscettore è realizzato in grafite altamente pura con rivestimento CVD, riducendo al minimo la contaminazione dei film GaN in crescita.

-Eccellente conduttività termica: l'elevata conduttività termica della grafite (150-300 W/(m·K)) garantisce una distribuzione uniforme della temperatura attraverso il suscettore, determinando una crescita costante del film GaN.

-Bassa espansione termica: il basso coefficiente di espansione termica del suscettore riduce al minimo lo stress termico e le fessurazioni durante il processo di crescita ad alta temperatura.

-Inerzia chimica: la grafite è chimicamente inerte e non reagisce con i precursori GaN, prevenendo impurità indesiderate nei film cresciuti.

-Compatibilità con Aixtron G5: il suscettore è progettato specificamente per l'uso nel sistema Aixtron G5 MOCVD, garantendo la corretta vestibilità e funzionalità.

Applicazioni:

LED ad alta luminosità: i LED basati su GaN offrono elevata efficienza e lunga durata, rendendoli ideali per l'illuminazione generale, l'illuminazione automobilistica e le applicazioni di visualizzazione.

Transistor ad alta potenza: i transistor GaN offrono prestazioni superiori in termini di densità di potenza, efficienza e velocità di commutazione, rendendoli adatti per applicazioni di elettronica di potenza.

Diodi laser: i diodi laser basati su GaN offrono elevata efficienza e lunghezze d'onda corte, rendendoli ideali per applicazioni di comunicazione e archiviazione ottica.

Parametro del prodotto del suscettore epitassiale in grafite GaN per G5

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.

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