Parte Halfmoon da 8 pollici per reattore LPE

VeTek Semiconductor è uno dei principali produttori e innovatori di parti Halfmoon da 8 pollici per reattori LPE in Cina. Siamo specializzati in materiali di rivestimento SiC da molti anni. Offriamo una parte Halfmoon da 8 pollici per reattori LPE progettata specificamente per il reattore epitassia LPE SiC. Questa parte a mezzaluna è una soluzione versatile ed efficiente per la produzione di semiconduttori con dimensioni ottimali, compatibilità e elevata produttività. Ti diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica in Cina.

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Descrizione del prodotto

In qualità di produttore professionale, VeTek Semiconductor desidera fornirti una parte Halfmoon da 8 pollici di alta qualità per il reattore LPE.

La parte a mezzaluna da 8 pollici di VeTek Semiconductor per reattore LPE è un componente essenziale utilizzato nei processi di produzione di semiconduttori, in particolare nelle apparecchiature epitassiali SiC. VeTek Semiconductor utilizza una tecnologia brevettata per produrre una parte a mezzaluna da 8 pollici per il reattore LPE, garantendo che possiedano purezza eccezionale, rivestimento uniforme e longevità eccezionale. Inoltre, queste parti presentano notevoli proprietà di resistenza chimica e stabilità termica.

Il corpo principale della parte a mezzaluna da 8 pollici per il reattore LPE è realizzato in grafite ad elevata purezza, che fornisce un'eccellente conduttività termica e stabilità meccanica. La grafite ad elevata purezza viene scelta per il suo basso contenuto di impurità, garantendo una contaminazione minima durante il processo di crescita epitassiale. La sua robustezza gli consente di resistere alle condizioni impegnative all'interno del reattore LPE.

Le parti Halfmoon in grafite rivestita in SiC di VeTek Semiconductor sono prodotte con la massima precisione e attenzione ai dettagli. L'elevata purezza dei materiali utilizzati garantisce prestazioni e affidabilità superiori nella produzione di semiconduttori. Il rivestimento uniforme di queste parti garantisce un funzionamento costante ed efficiente per tutta la loro durata.

Uno dei principali vantaggi delle nostre parti Halfmoon in grafite rivestite in SiC è la loro eccellente resistenza chimica. Possono resistere alla natura corrosiva dell'ambiente di produzione dei semiconduttori, garantendo una lunga durata e riducendo al minimo la necessità di sostituzioni frequenti. Inoltre, la loro eccezionale stabilità termica consente loro di mantenere la loro integrità strutturale e funzionalità in condizioni di alta temperatura.

Le nostre parti Halfmoon in grafite rivestite in SiC sono state meticolosamente progettate per soddisfare i severi requisiti delle apparecchiature epitassiali SiC. Con le loro prestazioni affidabili, queste parti contribuiscono al successo dei processi di crescita epitassiale, consentendo la deposizione di film SiC di alta qualità.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1

Negozio di produzione di semiconduttori VeTek

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

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