VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader di dischi di rotazione planetaria rivestiti in carburo di tantalio in Cina. Siamo specializzati nel rivestimento ceramico da molti anni. I nostri prodotti hanno un'elevata purezza e resistenza alle alte temperature. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
Disco di rotazione planetario rivestito in carburo di tantalio di alta qualità è offerto dal produttore cinese VeTek Semiconductor. Acquista il disco di rotazione planetaria rivestito in carburo di tantalio di alta qualità direttamente a un prezzo basso.
Il disco di rotazione planetario rivestito in carburo di tantalio è un accessorio progettato per il sistema MOCVD AIXTRON G10, con l'obiettivo di migliorare l'efficienza e la qualità nella produzione di semiconduttori. Realizzato con materiali di alta qualità e prodotto con precisione, il disco di rotazione planetario rivestito in carburo di tantalio offre prestazioni e affidabilità eccezionali per i processi MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition).
Il disco planetario è costruito utilizzando un substrato di grafite rivestito con CVD TaC, che fornisce eccellente stabilità termica, elevata purezza e resistenza alle alte temperature.
Personalizzabile per ospitare diverse dimensioni di wafer semiconduttori, il disco planetario è adatto a varie esigenze di produzione. La sua struttura robusta è progettata specificamente per resistere alle impegnative condizioni operative del sistema MOCVD, garantendo prestazioni di lunga durata e riducendo al minimo i tempi di inattività e i costi di manutenzione associati ai supporti wafer e ai suscettori.
Con il disco planetario, il sistema AIXTRON G10 MOCVD può raggiungere una maggiore efficienza e risultati superiori nella produzione di semiconduttori. La sua eccezionale stabilità termica, compatibilità con diverse dimensioni di wafer e prestazioni affidabili lo rendono uno strumento essenziale per ottimizzare l'efficienza produttiva e ottenere risultati eccezionali nel difficile ambiente MOCVD.
Proprietà fisiche del rivestimento TaC | |
Densità | 14,3 (g/cm³) |
Emissività specifica | 0.3 |
Coefficiente di dilatazione termica | 6.3 10-6/K |
Durezza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistenza | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilità termica | <2500 ℃ |
La dimensione della grafite cambia | -10~-20um |
Spessore del rivestimento | Valore tipico ≥20um (35um±10um) |