Anello rivestito in TaC per reattore epitassiale SiC

VeTek Semiconductor è un anello rivestito in TaC su larga scala per il produttore e innovatore di reattori epitassiali SiC in Cina. Siamo specializzati nel rivestimento TaC da molti anni. I nostri prodotti hanno elevata purezza, elevata stabilità, eccellente resistenza alla corrosione, elevata forza di adesione. Guardiamo non vedo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Introduzione al prodotto dell'anello rivestito in TaC per il reattore epitassiale SiC

VeTek Semiconductor è una rinomata azienda con sede in Cina, nota per la sua esperienza nella produzione di rivestimenti TaC e SiC di alta qualità, nonché di anelli rivestiti in TaC di elevata purezza per reattori epitassiali SiC. Siamo orgogliosi di offrire prodotti di qualità superiore a prezzi competitivi. Vi invitiamo caldamente a contattarci e a scoprire le eccezionali soluzioni che forniamo.

I nostri anelli rivestiti in TaC per reattori epitassiali SiC svolgono un ruolo cruciale. Questi anelli sono parte integrante del nostro set mezzaluna e offrono funzioni essenziali come supporto del substrato, controllo preciso della temperatura, isolamento termico efficace, ventilazione efficiente e protezione affidabile. Funzionando in modo armonioso, questi anelli garantiscono un controllo meticoloso sullo spessore, sul drogaggio e sulle caratteristiche dei difetti dello strato epitassiale di SiC cresciuto all'interno della camera di reazione.

Oltre ai nostri eccezionali anelli rivestiti in TaC, VeTek Semiconductor offre una vasta gamma di prodotti correlati progettati specificamente per le camere di reazione. La nostra gamma di prodotti comprende mezzelune superiori e inferiori, coperture protettive, coperture isolanti e interfacce di deviazione dell'aria di processo. Ciascuno di questi componenti è sottoposto a un meticoloso rivestimento SiC o TaC per migliorare le prestazioni e prolungarne la durata.

Parametro del prodotto dell'anello rivestito in TaC per reattore epitassiale SiC

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità	14,3 (g/cm³)
Emissività specifica	0.3
Coefficiente di dilatazione termica	6.3 10-6/K
Durezza (HK)	2000 Hong Kong
Resistenza	1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica	<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia	-10~-20um
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)

Negozio di produzione di semiconduttori VeTek

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:

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