Anello in carburo di tantalio
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Anello in carburo di tantalio

In qualità di produttore e produttore avanzato di anelli in carburo di tantalio in Cina, l'anello in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor ha una durezza estremamente elevata, resistenza all'usura, resistenza alle alte temperature e stabilità chimica ed è ampiamente utilizzato nel campo della produzione di semiconduttori. Soprattutto nei processi CVD, PVD, impiantazione ionica, processo di incisione e lavorazione e trasporto dei wafer, è un prodotto indispensabile per la lavorazione e la produzione di semiconduttori. In attesa di una vostra ulteriore consultazione.

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Descrizione del prodotto

L'anello in carburo di tantalio (TaC) di VeTek Semiconductor utilizza grafite di alta qualità come materiale centrale e, grazie alla sua struttura unica, è in grado di mantenere la sua forma e le proprietà meccaniche nelle condizioni estreme di un forno di crescita dei cristalli. L'elevata resistenza al calore della grafite le conferisce un'eccellente stabilità durante tutto il tempoprocesso di crescita dei cristalli.


Lo strato esterno dell'anello TaC è ricoperto da arivestimento in carburo di tantalio, un materiale noto per la sua durezza estremamente elevata, punto di fusione superiore a 3880°C e eccellente resistenza alla corrosione chimica, che lo rende particolarmente adatto per ambienti operativi ad alta temperatura. Il rivestimento in carburo di tantalio fornisce una forte barriera per prevenire efficacemente reazioni chimiche violente e garantire che il nucleo di grafite non venga corroso dai gas del forno ad alta temperatura.


DuranteCrescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC)., condizioni di crescita stabili e uniformi sono fondamentali per garantire cristalli di alta qualità. L'anello di rivestimento in carburo di tantalio svolge un ruolo fondamentale nella regolazione del flusso di gas e nell'ottimizzazione della distribuzione della temperatura all'interno del forno. Come anello di guida del gas, l'anello TaC garantisce una distribuzione uniforme dell'energia termica e dei gas di reazione, garantendo una crescita uniforme e la stabilità dei cristalli di SiC.


Inoltre, l'elevata conduttività termica della grafite combinata con l'effetto protettivo del rivestimento in carburo di tantalio consente all'anello guida TaC di funzionare stabilmente nell'ambiente ad alta temperatura richiesto per la crescita dei cristalli SiC. La sua resistenza strutturale e stabilità dimensionale sono cruciali per il mantenimento delle condizioni nel forno, che influiscono direttamente sulla qualità dei cristalli prodotti. Riducendo le fluttuazioni termiche e le reazioni chimiche all'interno del forno, l'anello di rivestimento TaC aiuta a generare cristalli con eccellenti proprietà elettroniche per applicazioni di semiconduttori ad alte prestazioni.


L'anello in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor è un componente chiave diforni per la crescita dei cristalli di carburo di silicioe si distingue per l'eccellente durabilità, stabilità termica e resistenza chimica. La sua combinazione unica di nucleo in grafite e rivestimento TaC gli consente di mantenere l'integrità strutturale e la funzionalità in condizioni difficili. Controllando con precisione la temperatura e il flusso di gas all'interno del forno, l'anello di rivestimento TaC fornisce le condizioni necessarie per la produzione di cristalli SiC di alta qualità, fondamentali per la produzione di componenti semiconduttori all'avanguardia.


Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4



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