Anello guida in carburo di tantalio
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Anello guida in carburo di tantalio

VeTek Semiconductor è un produttore professionale e leader di prodotti con anelli guida in carburo di tantalio in Cina. Il nostro anello guida in carburo di tantalio (TaC) è un componente ad alte prestazioni realizzato in carburo di tantalio, comunemente utilizzato nelle apparecchiature per la lavorazione dei semiconduttori, soprattutto in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosivi come CVD, PVD, incisione e diffusione. VeTek Semiconductor si impegna a fornire tecnologie avanzate e soluzioni di prodotto per l'industria dei semiconduttori e accoglie con favore le vostre ulteriori richieste.

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Descrizione del prodotto

Semiconduttore VeTekGuida al carburo di tantalio Ringè realizzato dagrafiteErivestito con carburo di tantalio, una combinazione che sfrutta le migliori proprietà di entrambi i materiali per garantire prestazioni e longevità superiori.


ILRivestimento TaCsull'anello guida in carburo di tantalio garantisce che rimanga chimicamente inerte nelle atmosfere reattive dei forni per la crescita dei cristalli SiC, che spesso coinvolgono gas come idrogeno, argon e azoto. Questa inerzia chimica è vitale per prevenire qualsiasi contaminazione del cristallo in crescita, che potrebbe portare a difetti e prestazioni ridotte dei prodotti semiconduttori finali. Inoltre, la stabilità termica fornita dal rivestimento TaC consente all'anello guida con rivestimento in carburo di tantalio di funzionare efficacemente alle alte temperature richieste perCrescita dei cristalli di SiC, tipicamente superiore a 2000°C.


Inoltre, la combinazione di grafite e TaC nell'anello di rivestimento in carburo di tantalio ottimizza la gestione termica all'interno del forno di crescita dei cristalli. L'elevata conduttività termica della grafite distribuisce in modo efficiente il calore, prevenendo punti caldi e promuovendo una crescita uniforme dei cristalli. Nel frattempo, il rivestimento in carburo di tantalio funge da barriera termica, proteggendo il nucleo di grafite dall'esposizione diretta alle alte temperature e ai gas reattivi. Questa sinergia tra il nucleo e i materiali di rivestimento si traduce in un anello guida che non solo resiste alle dure condizioni di crescita dei cristalli di SiC, ma migliora anche l'efficienza e la qualità complessive del processo.


Le proprietà meccaniche del carburo di tantalio di VeTek Semiconductor riducono notevolmente l'usura dell'anello di rivestimento in carburo di tantalio. Ciò è fondamentale a causa della natura ripetitiva del fileprocesso di crescita dei cristalli, che espone l'anello di guida a frequenti cicli termici e sollecitazioni meccaniche. La durezza e la resistenza all'usura del carburo di tantalio garantiscono che l'anello di guida mantenga la sua integrità strutturale e dimensioni precise per lunghi periodi, riducendo al minimo la necessità di sostituzioni frequenti e i tempi di fermo nel processo di produzione.


L'anello guida del rivestimento in carburo di tantalio di VeTek Semiconductor è un componente essenziale nel settore dei semiconduttori, progettato specificamente per la crescita diCristalli di carburo di silicio. Il suo design sfrutta i punti di forza della grafite e del carburo di tantalio per offrire prestazioni eccezionali in ambienti ad alta temperatura e stress elevato. Il rivestimento TaC garantisce inerzia chimica, durata meccanica e stabilità termica, tutti aspetti fondamentali per la produzione di cristalli SiC di alta qualità. Mantenendo la sua integrità e funzionalità in condizioni estreme, l'anello guida supporta la crescita efficiente e priva di difetti dei cristalli SiC, contribuendo al progresso dei dispositivi a semiconduttore ad alta potenza e ad alta frequenza.


Rivestimento in carburo di tantalio (TaC) su una sezione trasversale microscopica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Proprietà fisiche del rivestimento TaC:


Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6,3*10-6/K
Durezza (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza
1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10~-20um
Spessore del rivestimento
Valore tipico ≥20um (35um±10um)

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