Suscettore del rivestimento TaC

VeTek Semiconductor presenta il suscettore di rivestimento TaC. Con il suo eccezionale rivestimento TaC, questo suscettore offre una moltitudine di vantaggi che lo distinguono dalle soluzioni convenzionali. Integrandosi perfettamente nei sistemi esistenti, il suscettore di rivestimento TaC di VeTek Semiconductor garantisce compatibilità e funzionamento efficiente. Le sue prestazioni affidabili e il rivestimento TaC di alta qualità forniscono costantemente risultati eccezionali nei processi di epitassia SiC. Ci impegniamo a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Il suscettore e l'anello rivestiti in TaC di VeTek Semiconductor lavorano insieme nel reattore di crescita epitassiale in carburo di silicio LPE:

Resistenza alle alte temperature: il suscettore del rivestimento TaC ha un'eccellente resistenza alle alte temperature, in grado di resistere a temperature estreme fino a 1500°C nel reattore LPE. Ciò garantisce che l'apparecchiatura e i componenti non si deformino o si danneggino durante il funzionamento a lungo termine.

Stabilità chimica: il suscettore del rivestimento TaC funziona eccezionalmente bene nell'ambiente corrosivo di crescita del carburo di silicio, proteggendo efficacemente i componenti del reattore dagli attacchi chimici corrosivi, prolungandone così la durata.

Stabilità termica: il suscettore del rivestimento TaC ha una buona stabilità termica, mantenendo la morfologia e la ruvidità superficiale per garantire l'uniformità del campo di temperatura nel reattore, il che è vantaggioso per la crescita di alta qualità degli strati epitassiali di carburo di silicio.

Anti-contaminazione: la superficie liscia rivestita in TaC e le prestazioni TPD (desorbimento programmato a temperatura) superiori possono ridurre al minimo l'accumulo e l'adsorbimento di particelle e impurità all'interno del reattore, prevenendo la contaminazione degli strati epitassiali.

In sintesi, il suscettore e l'anello rivestiti in TaC svolgono un ruolo protettivo fondamentale nel reattore di crescita epitassiale al carburo di silicio LPE, garantendo il funzionamento stabile a lungo termine dell'apparecchiatura e la crescita di alta qualità degli strati epitassiali.

Parametro del prodotto del suscettore del rivestimento TaC:

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità	14,3 (g/cm³)
Emissività specifica	0.3
Coefficiente di dilatazione termica	6.3 10-6/K
Durezza (HK)	2000 Hong Kong
Resistenza	1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica	<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia	-10~-20um
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)