Suscettore planetario con rivestimento TaC

Nel campo della produzione di semiconduttori, il suscettore planetario con rivestimento TaC svolge un ruolo cruciale. È ampiamente utilizzato nella crescita di strati epitassiali di carburo di silicio (SiC) in apparecchiature come il sistema Aixtron G5. Inoltre, se utilizzato come disco esterno nella deposizione del rivestimento in carburo di tantalio (TaC) per l'epitassia SiC, il suscettore planetario con rivestimento TaC fornisce supporto e stabilità essenziali. Assicura la deposizione uniforme dello strato di carburo di tantalio, contribuendo alla formazione di strati epitassiali di alta qualità con eccellente morfologia superficiale e spessore del film desiderato. L'inerzia chimica del rivestimento TaC previene reazioni indesiderate e contaminazioni, mantenendo l'integrità degli strati epitassiali e garantendone la qualità superiore.

L'eccezionale conduttività termica del rivestimento TaC consente un efficiente trasferimento di calore, promuovendo una distribuzione uniforme della temperatura e riducendo al minimo lo stress termico durante il processo di crescita epitassiale. Ciò si traduce nella produzione di strati epitassiali SiC di alta qualità con proprietà cristallografiche migliorate e conduttività elettrica migliorata.

Le dimensioni precise e la struttura robusta del disco planetario con rivestimento TaC ne facilitano l'integrazione nei sistemi esistenti, garantendo una compatibilità perfetta e un funzionamento efficiente. Le sue prestazioni affidabili e il rivestimento TaC di alta qualità contribuiscono a risultati coerenti e uniformi nei processi di epitassia SiC.

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Pezzi di ricambio per rivestimento TaC e rivestimento SiC che forniamo:

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