Mandrino con rivestimento TaC

Il mandrino di rivestimento TaC di VeTek Semiconductor è la soluzione ideale per ottenere risultati eccezionali nel processo SiC EPI. Con il rivestimento TaC, la resistenza alle alte temperature e l'inerzia chimica, il nostro prodotto ti consente di produrre cristalli di alta qualità con precisione e affidabilità. Benvenuti a contattarci.

Il TaC (carburo di tantalio) è un materiale comunemente utilizzato per rivestire la superficie delle parti interne delle apparecchiature epitassiali. Ha le seguenti caratteristiche:

● Eccellente resistenza alle alte temperature: I rivestimenti TaC possono resistere a temperature fino a 2200°C, rendendoli ideali per applicazioni in ambienti ad alta temperatura come le camere di reazione epitassiali.

● Elevata durezza: La durezza del TaC raggiunge circa 2000 HK, che è molto più dura dell'acciaio inossidabile o della lega di alluminio comunemente usati, che possono prevenire efficacemente l'usura della superficie.

● Forte stabilità chimica: Il rivestimento TaC funziona bene in ambienti chimicamente corrosivi e può prolungare notevolmente la durata dei componenti epitassiali delle apparecchiature.

● Buona conduttività elettrica: Il rivestimento TaC ha una buona conduttività elettrica, che favorisce il rilascio elettrostatico e la conduzione del calore.

Queste proprietà rendono il rivestimento TaC un materiale ideale per la produzione di parti critiche come boccole interne, pareti della camera di reazione ed elementi riscaldanti per apparecchiature epitassiali. Rivestindo questi componenti con TaC, è possibile migliorare le prestazioni complessive e la durata di servizio dell'apparecchiatura epitassiale.

Per l'epitassia del carburo di silicio, anche il pezzo di rivestimento TaC può svolgere un ruolo importante. La superficie del TaC il rivestimento è liscio e denso, il che favorisce la formazione di pellicole di carburo di silicio di alta qualità. Allo stesso tempo, l'eccellente conduttività termica del TaC può aiutare a migliorare l'uniformità della distribuzione della temperatura all'interno dell'apparecchiatura, migliorando così la precisione del controllo della temperatura del processo epitassiale e, in definitiva, ottenendo una crescita dello strato epitassiale di carburo di silicio di qualità superiore.