Vetek Semiconductor si concentra sulla ricerca, sviluppo e industrializzazione del rivestimento CVD SiC e del rivestimento CVD TaC. Prendendo come esempio il suscettore del rivestimento SiC, il prodotto è altamente lavorato con rivestimento CVD SIC denso e ad alta precisione, resistenza alle alte temperature e forte resistenza alla corrosione. Un'indagine su di noi è benvenuta.
Puoi essere certo di acquistare il suscettore di rivestimento SiC dalla nostra fabbrica.
In qualità di produttore di rivestimenti SiC CVD, VeTek Semiconductor vorrebbe fornirvi suscettori di rivestimento SiC realizzati con grafite ad elevata purezza e suscettore di rivestimento SiC (inferiore a 5 ppm). Benvenuti a contattarci.
Noi di Vetek Semiconductor siamo specializzati nella ricerca, sviluppo e produzione tecnologica e offriamo una gamma di prodotti avanzati per il settore. La nostra linea di prodotti principale comprende rivestimento CVD SiC+grafite ad elevata purezza, suscettore di rivestimento SiC, quarzo semiconduttore, rivestimento CVD TaC+grafite ad elevata purezza, feltro rigido e altri materiali.
Uno dei nostri prodotti di punta è il SiC Coating Susceptor, sviluppato con una tecnologia innovativa per soddisfare i severi requisiti della produzione di wafer epitassiali. I wafer epitassiali devono presentare una distribuzione ristretta della lunghezza d'onda e bassi livelli di difetti superficiali, rendendo il nostro suscettore di rivestimento SiC un componente essenziale per raggiungere questi parametri cruciali.
Protezione del materiale di base: il rivestimento CVD SiC agisce come uno strato protettivo durante il processo epitassiale, proteggendo efficacemente il materiale di base dall'erosione e dai danni causati dall'ambiente esterno. Questa misura protettiva prolunga notevolmente la durata dell'apparecchiatura.
Eccellente conduttività termica: il nostro rivestimento CVD SiC possiede un'eccezionale conduttività termica, trasferendo in modo efficiente il calore dal materiale di base alla superficie del rivestimento. Ciò migliora l'efficienza della gestione termica durante l'epitassia, garantendo temperature operative ottimali per l'apparecchiatura.
Qualità della pellicola migliorata: il rivestimento CVD SiC fornisce una superficie piana e uniforme, creando una base ideale per la crescita della pellicola. Riduce i difetti derivanti dal disadattamento del reticolo, migliora la cristallinità e la qualità del film epitassiale e, in definitiva, ne migliora le prestazioni e l'affidabilità.
Scegli il nostro suscettore di rivestimento SiC per le tue esigenze di produzione di wafer epitassiali e beneficia di una protezione migliorata, una conduttività termica superiore e una migliore qualità della pellicola. Affidati alle soluzioni innovative di VeTek Semiconductor per guidare il tuo successo nel settore dei semiconduttori.
Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD | |
Proprietà | Valore tipico |
Struttura di cristallo | FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111). |
Densità | 3,21 g/cm³ |
Durezza | Durezza 2500 Vickers (carico 500 g) |
Granulometria | 2~10μm |
Purezza chimica | 99,99995% |
Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
Conduttività termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |