Vetek Semiconductor si dedica allo sviluppo e alla commercializzazione del rivestimento CVD SiC e del rivestimento CVD TaC. A titolo illustrativo, i nostri segmenti di copertura del rivestimento SiC sono sottoposti a una lavorazione meticolosa, che si traduce in un rivestimento SiC denso CVD con precisione eccezionale. Presenta una notevole resistenza alle alte temperature e offre una solida protezione contro la corrosione. Accogliamo con favore le vostre richieste.
Puoi essere certo di acquistare segmenti di copertura del rivestimento SiC dalla nostra fabbrica.
La tecnologia dei micro LED sta sconvolgendo l’ecosistema LED esistente con metodi e approcci che fino ad ora erano stati osservati solo nei settori LCD o dei semiconduttori. Il sistema Aixtron G5 MOCVD supporta perfettamente questi rigorosi requisiti di estensione. Si tratta di un potente reattore MOCVD progettato principalmente per la crescita epitassiale di GaN a base di silicio.
Aixtron G5 è un sistema epitassia del disco planetario orizzontale, costituito principalmente da componenti come il disco planetario con rivestimento CVD SiC, suscettore MOCVD, segmenti di copertura del rivestimento SiC, anello di copertura del rivestimento SiC, soffitto del rivestimento SiC, anello di supporto del rivestimento SiC, disco di copertura del rivestimento SiC, Collettore di scarico con rivestimento SiC, rondella perno, anello di ingresso del collettore, ecc.
In qualità di produttore di rivestimenti SiC CVD, VeTek Semiconductor offre segmenti di copertura del rivestimento SiC Aixtron G5. Questi suscettori sono realizzati in grafite ad elevata purezza e presentano un rivestimento SiC CVD con impurità inferiore a 5 ppm.
I prodotti CVD SiC Coating Cover Segments presentano un'eccellente resistenza alla corrosione, conduttività termica superiore e stabilità alle alte temperature. Questi prodotti resistono efficacemente alla corrosione chimica e all'ossidazione, garantendo durata e stabilità in ambienti difficili. L'eccezionale conduttività termica consente un efficiente trasferimento di calore, migliorando l'efficienza della gestione termica. Grazie alla loro stabilità alle alte temperature e alla resistenza agli shock termici, i rivestimenti CVD SiC possono resistere a condizioni estreme. Prevengono la dissoluzione e l'ossidazione del substrato di grafite, riducendo la contaminazione e migliorando l'efficienza produttiva e la qualità del prodotto. La superficie del rivestimento piatta e uniforme fornisce una solida base per la crescita della pellicola, riducendo al minimo i difetti causati dalla mancata corrispondenza del reticolo e migliorando la cristallinità e la qualità della pellicola. In sintesi, i prodotti in grafite rivestiti CVD SiC offrono soluzioni materiali affidabili per varie applicazioni industriali, combinando eccezionale resistenza alla corrosione, conduttività termica e stabilità alle alte temperature.
Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD | |
Proprietà | Valore tipico |
Struttura di cristallo | FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111). |
Densità | 3,21 g/cm³ |
Durezza | Durezza 2500 Vickers (carico 500 g) |
Granulometria | 2~10μm |
Purezza chimica | 99,99995% |
Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
Conduttività termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |