Suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4".

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore professionale, impegnato a fornire suscettore epitassiale MOCVD di alta qualità per wafer da 4". Con una ricca esperienza nel settore e un team di professionisti, siamo in grado di fornire soluzioni esperte ed efficienti ai nostri clienti.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore cinese leader professionale di suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" con alta qualità e prezzo ragionevole. Non esitare a contattarci. Il suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" è un componente critico nella deposizione chimica da vapore metallo-organico (MOCVD) processo, che è ampiamente utilizzato per la crescita di film sottili epitassiali di alta qualità, tra cui nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) e carburo di silicio (SiC). Il suscettore funge da piattaforma per sostenere il substrato durante il processo di crescita epitassiale e svolge un ruolo cruciale nel garantire una distribuzione uniforme della temperatura, un trasferimento di calore efficiente e condizioni di crescita ottimali.

Il suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" è generalmente realizzato in grafite di elevata purezza, carburo di silicio o altri materiali con eccellente conduttività termica, inerzia chimica e resistenza allo shock termico.

Applicazioni:

I suscettori epitassiali MOCVD trovano applicazioni in vari settori, tra cui:

Elettronica di potenza: crescita dei transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) basati su GaN per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza.

Optoelettronica: crescita dei diodi emettitori di luce (LED) e dei diodi laser basati su GaN per tecnologie di illuminazione e visualizzazione efficienti.

Sensori: crescita dei sensori piezoelettrici basati su AlN per il rilevamento di pressione, temperatura e onde acustiche.

Elettronica ad alta temperatura: crescita dei dispositivi di potenza basati su SiC per applicazioni ad alta temperatura e alta potenza.

Parametro del prodotto del suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4".

Proprietà fisiche della grafite isostatica
Proprietà	Unità	Valore tipico
Densità apparente	g/cm³	1.83
Durezza	HSD	58
Resistività elettrica	mΩ.m	10
Resistenza alla flessione	MPa	47
Resistenza alla compressione	MPa	103
Resistenza alla trazione	MPa	31
Modulo di Young	GPa	11.8
Dilatazione termica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conduttività termica	W·m-1·K-1	130
Granulometria media	µm	8-10
Porosità	%	10
Contenuto di cenere	ppm	≤10 (dopo purificato)

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1

Negozio di produzione di semiconduttori VeTek

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