Suscettore epitassiale GaN a base di silicio

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore professionale, impegnato a fornire suscettore epitassiale GaN a base di silicio di alta qualità. Il semiconduttore suscettore è utilizzato nel sistema VEECO K465i GaN MOCVD, elevata purezza, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, benvenuto per informarsi e collaborare con noi!

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconducto è un produttore cinese leader professionale di suscettori epitassiali GaN a base di silicio con alta qualità e prezzo ragionevole. Non esitare a contattarci.

Il suscettore epitassiale GaN a base di silicio di VeTek Semiconductor è Il suscettore epitassiale GaN a base di silicio è un componente chiave nel sistema VEECO K465i GaN MOCVD per supportare e riscaldare il substrato di silicio del materiale GaN durante la crescita epitassiale.

Il suscettore epitassiale GaN a base di silicio di VeTek Semiconductor adotta materiale di grafite di elevata purezza e alta qualità come substrato, che ha una buona stabilità e conduzione del calore nel processo di crescita epitassiale. Questo substrato è in grado di resistere ad ambienti ad alta temperatura, garantendo la stabilità e l'affidabilità del processo di crescita epitassiale.

Al fine di migliorare l'efficienza e la qualità della crescita epitassiale, il rivestimento superficiale di questo suscettore utilizza carburo di silicio di elevata purezza ed elevata uniformità. Il rivestimento in carburo di silicio ha un'eccellente resistenza alle alte temperature e stabilità chimica e può resistere efficacemente alla reazione chimica e alla corrosione nel processo di crescita epitassiale.

Il design e la selezione dei materiali di questo suscettore wafer sono progettati per fornire conduttività termica, stabilità chimica e resistenza meccanica ottimali per supportare la crescita epitassiale GaN di alta qualità. La sua elevata purezza ed elevata uniformità garantiscono consistenza e uniformità durante la crescita, dando come risultato una pellicola GaN di alta qualità.

In generale, il suscettore epitassiale GaN a base di silicio è un prodotto ad alte prestazioni progettato specificamente per il sistema VEECO K465i GaN MOCVD utilizzando un substrato di grafite di elevata purezza e alta qualità e un rivestimento in carburo di silicio di elevata purezza ed elevata uniformità. Fornisce stabilità, affidabilità e supporto di alta qualità per il processo di crescita epitassiale.

Proprietà fisiche della grafite isostatica
Proprietà	Unità	Valore tipico
Densità apparente	g/cm³	1.83
Durezza	HSD	58
Resistività elettrica	mΩ.m	10
Resistenza alla flessione	MPa	47
Resistenza alla compressione	MPa	103
Resistenza alla trazione	MPa	31
Modulo di Young	GPa	11.8
Dilatazione termica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conduttività termica	W·m-1·K-1	130
Granulometria media	µm	8-10
Porosità	%	10
Contenuto di cenere	ppm	≤10 (dopo purificato)

Proprietà fisiche del suscettore epitassiale GaN a base di silicio:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.

Negozio di produzione di semiconduttori VeTek

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