Parte superiore del collettore con rivestimento SiC

Benvenuto in VeTek Semiconductor, il tuo produttore di fiducia di rivestimenti SiC CVD. Siamo orgogliosi di offrire la parte superiore del collettore di rivestimento SiC Aixtron, sapientemente progettata utilizzando grafite ad elevata purezza e dotata di un rivestimento SiC CVD all'avanguardia con impurità inferiore a 5 ppm. Non esitate a contattarci per qualsiasi domanda o richiesta

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Descrizione del prodotto

Con anni di esperienza nella produzione di rivestimenti TaC e rivestimenti SiC, VeTek Semiconductor è in grado di fornire un'ampia gamma di rivestimenti SiC superiori, centrali e inferiori per collettori per il sistema Aixtron. La parte superiore del collettore di rivestimento SiC di alta qualità può soddisfare molte applicazioni, se necessario, ti preghiamo di ottenere il nostro servizio tempestivo online sulla parte superiore del collettore di rivestimento SiC. Oltre all'elenco dei prodotti riportato di seguito, puoi anche personalizzare il tuo esclusivo collettore di rivestimento SiC in base alle tue esigenze specifiche.

La parte superiore del collettore del rivestimento SiC, il centro del collettore del rivestimento SiC e il fondo del collettore del rivestimento SiC sono i tre componenti di base utilizzati nel processo di produzione dei semiconduttori. Parliamo di ciascun prodotto separatamente:

La parte superiore del collettore di rivestimento SiC di VeTek Semiconductor svolge un ruolo cruciale nel processo di deposizione dei semiconduttori. Funge da struttura di supporto per il materiale depositato, contribuendo a mantenere uniformità e stabilità durante la deposizione. Aiuta anche nella gestione termica, dissipando efficacemente il calore generato durante il processo. La parte superiore del raccoglitore garantisce la corretta disposizione e distribuzione del materiale depositato, con conseguente crescita costante e di alta qualità della pellicola.

Il rivestimento SiC sulla parte superiore del collettore, sul centro del collettore e sul fondo del collettore ne migliora significativamente le prestazioni e la durata. Il rivestimento SiC (carburo di silicio) è noto per la sua eccellente conduttività termica, inerzia chimica e resistenza alla corrosione. Il rivestimento SiC nella parte superiore, centrale e inferiore del collettore offre eccellenti capacità di gestione termica, garantendo un'efficiente dissipazione del calore e mantenendo temperature di processo ottimali. Presenta inoltre un'eccellente resistenza chimica, proteggendo i componenti da ambienti corrosivi e prolungandone la durata. Le proprietà dei rivestimenti SiC aiutano a migliorare la stabilità dei processi di produzione dei semiconduttori, a ridurre i difetti e a migliorare la qualità della pellicola.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1

Filiera industriale:

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