Centro di raccolta rivestimenti SiC

VeTek Semiconductor, un rinomato produttore di rivestimenti SiC CVD, ti offre il centro collettore di rivestimenti SiC all'avanguardia nel sistema Aixtron G5 MOCVD. Questi centri di raccolta del rivestimento SiC sono meticolosamente progettati con grafite ad elevata purezza e vantano un rivestimento CVD SiC avanzato, che garantisce stabilità alle alte temperature, resistenza alla corrosione ed elevata purezza. Non vediamo l'ora di collaborare con voi!

Invia richiesta

Descrizione del prodotto

Il centro di raccolta del rivestimento SiC di VeTek Semiconductor svolge un ruolo importante nella produzione del processo EPI di Semiconducor. È uno dei componenti chiave utilizzati per la distribuzione e il controllo del gas in una camera di reazione epitassiale. Benvenuti a contattarci per informazioni sul rivestimento SiC e sul rivestimento TaC nella nostra fabbrica.

Il ruolo del Centro di raccolta rivestimenti SiC è il seguente:

Distribuzione del gas: il centro di raccolta del rivestimento SiC viene utilizzato per introdurre gas diversi nella camera di reazione epitassiale. Dispone di ingressi e uscite multipli in grado di distribuire gas diversi nelle posizioni desiderate per soddisfare specifiche esigenze di crescita epitassiale.

Controllo del gas: il SiC Coating Collector Center ottiene un controllo preciso di ciascun gas attraverso valvole e dispositivi di controllo del flusso. Questo controllo preciso del gas è essenziale per il successo del processo di crescita epitassiale per ottenere la concentrazione di gas e la portata desiderate, garantendo la qualità e la consistenza della pellicola.

Uniformità: il design e la disposizione dell'anello centrale di raccolta del gas aiutano a ottenere una distribuzione uniforme del gas. Attraverso un percorso di flusso del gas e una modalità di distribuzione ragionevoli, il gas viene miscelato uniformemente nella camera di reazione epitassiale, in modo da ottenere una crescita uniforme della pellicola.

Nella produzione di prodotti epitassiali, il SiC Coating Collector Center svolge un ruolo chiave nella qualità, nello spessore e nell'uniformità del film. Attraverso un'adeguata distribuzione e controllo del gas, il SiC Coating Collector Center può garantire la stabilità e la consistenza del processo di crescita epitassiale, in modo da ottenere film epitassiali di alta qualità.

Rispetto al centro del collettore in grafite, il centro del collettore rivestito in SiC offre una migliore conduttività termica, una maggiore inerzia chimica e una resistenza alla corrosione superiore. Il rivestimento in carburo di silicio migliora significativamente la capacità di gestione termica del materiale di grafite, garantendo una migliore uniformità della temperatura e una crescita costante della pellicola nei processi epitassiali. Inoltre, il rivestimento fornisce uno strato protettivo che resiste alla corrosione chimica, prolungando la durata dei componenti in grafite. Nel complesso, il materiale in grafite rivestito in carburo di silicio offre conduttività termica, inerzia chimica e resistenza alla corrosione superiori, garantendo maggiore stabilità e crescita della pellicola di alta qualità nei processi epitassiali.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1