Grazie alla nostra esperienza nella produzione di rivestimenti SiC CVD, VeTek Semiconductor presenta con orgoglio il fondo del collettore di rivestimento SiC Aixtron. Il fondo del collettore con rivestimento SiC è costruito utilizzando grafite ad elevata purezza e è rivestito con SiC CVD, garantendo impurità inferiore a 5 ppm. Non esitate a contattarci per ulteriori informazioni e richieste.
VeTek Semiconductor è un produttore impegnato a fornire rivestimento CVD TaC e rivestimento CVD SiC inferiore del collettore di alta qualità e lavora a stretto contatto con le apparecchiature Aixtron per soddisfare le esigenze dei nostri clienti. Che si tratti di ottimizzazione dei processi o di sviluppo di nuovi prodotti, siamo pronti a fornirvi supporto tecnico e a rispondere a qualsiasi domanda possiate avere.
Prodotti Aixtron Rivestimento superiore del collettore SiC, Centro del collettore e Fondo del collettore con rivestimento SiC. Questi prodotti sono uno dei componenti chiave utilizzati nei processi avanzati di produzione di semiconduttori.
La combinazione della parte superiore del collettore, del centro del collettore e del fondo del collettore rivestiti in SiC Aixtron nelle apparecchiature Aixtron svolge i seguenti ruoli importanti:
Gestione termica: questi componenti hanno un'eccellente conduttività termica e sono in grado di condurre il calore in modo efficace. La gestione termica è fondamentale nella produzione di semiconduttori. I rivestimenti SiC nella parte superiore del collettore, nel centro del collettore e nella parte inferiore del collettore rivestita in carburo di silicio aiutano a rimuovere in modo efficiente il calore, mantenere temperature di processo adeguate e migliorare la gestione termica delle apparecchiature.
Inerzia chimica e resistenza alla corrosione: la parte superiore del collettore, il centro del collettore e il fondo del collettore con rivestimento SiC rivestiti in SiC Aixtron hanno un'eccellente inerzia chimica e sono resistenti alla corrosione chimica e all'ossidazione. Ciò consente loro di funzionare stabilmente in ambienti chimici aggressivi per lunghi periodi di tempo, fornendo uno strato protettivo affidabile e prolungando la durata dei componenti.
Supporto per il processo di evaporazione con fascio di elettroni (EB): questi componenti vengono utilizzati nelle apparecchiature Aixtron per supportare il processo di evaporazione con fascio di elettroni. Il design e la selezione dei materiali della parte superiore del collettore, del centro del collettore e del fondo del collettore con rivestimento SiC aiutano a ottenere una deposizione uniforme della pellicola e forniscono un substrato stabile per garantire qualità e consistenza della pellicola.
Ottimizzazione dell'ambiente di crescita del film: Collector Top, Collector Center e SiC Coating Collector Bottom ottimizzano l'ambiente di crescita del film nelle apparecchiature Aixtron. L'inerzia chimica e la conduttività termica del rivestimento aiutano a ridurre le impurità e i difetti e a migliorare la qualità cristallina e la consistenza della pellicola.
Utilizzando il collettore superiore, il centro del collettore e il fondo del collettore con rivestimento SiC Aixtron rivestiti in SiC, è possibile ottenere la gestione termica e la protezione chimica nei processi di produzione dei semiconduttori, ottimizzare l'ambiente di crescita della pellicola e migliorare la qualità e la consistenza della pellicola. La combinazione di questi componenti nelle apparecchiature Aixtron garantisce condizioni di processo stabili e una produzione efficiente di semiconduttori.
Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD | |
Proprietà | Valore tipico |
Struttura di cristallo | FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111). |
Densità | 3,21 g/cm³ |
Durezza | Durezza 2500 Vickers (carico 500 g) |
Granulometria | 2~10μm |
Purezza chimica | 99,99995% |
Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
Conduttività termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |