Anello di supporto rivestito in SiC

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore professionale cinese, che produce principalmente anelli di supporto rivestiti in SiC, rivestimenti in carburo di silicio (SiC) CVD, rivestimenti in carburo di tantalio (TaC), SiC sfuso, polveri SiC e materiali SiC di elevata purezza. Ci impegniamo a fornire un supporto tecnico perfetto e soluzioni di prodotto definitive per l'industria dei semiconduttori, non esitare a contattarci.

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Descrizione del prodotto

Semiconduttore VeTek, un produttore e fornitore leader con sede in Cina, è specializzato nella produzione di una gamma di prodotti tra cuiAnelli di supporto rivestiti in SiC, rivestimenti in carburo di silicio CVD, rivestimenti in carburo di tantalio, SiC sfuso, polveri di SiC e materiali SiC di elevata purezza. Il nostro impegno risiede nell'offrire assistenza tecnica completa e soluzioni di prodotto ottimali su misura per il settore dei semiconduttori. Non esitate a contattarci per ulteriori informazioni e assistenza.

Semiconduttore VeTek'SAnelli di supporto rivestiti in SiCsono una nuova generazione di materiali resistenti alle alte temperature. Come rivestimenti resistenti alla corrosione, rivestimenti resistenti all'ossidazione e rivestimenti resistenti all'usura, possono essere utilizzati in ambienti superiori a 1650 ℃ e sono ampiamente utilizzati nei campi dei semiconduttori.

Le caratteristiche di alta qualità diAnelli di supporto rivestiti in SiCsvolgono un ruolo molto importante nella crescita epitassiale dei componenti semiconduttori di terza generazione.

Mantenimento dell'uniformità della temperatura: Gli anelli di supporto rivestiti in SiC hanno un'eccellente conduttività termica e possono fornire una distribuzione uniforme della temperatura durante la crescita epitassiale. Ciò aiuta a ridurre i gradienti termici e le sollecitazioni sulla superficie del wafer, migliorando così la qualità dello strato epitassiale.

Stabilità chimica estrema: Durante il processo di crescita epitassiale,Anelli di supporto rivestiti in SiCsono in grado di resistere all'attacco chimico dei gas di reazione, allungando la vita degli anelli di supporto e mantenendo l'integrità del processo. Questa stabilità chimica aiuta a ridurre il rischio di contaminazione e a migliorare la purezza e le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.

Posizionamento preciso: Gli anelli di supporto rivestiti in SiC sono in grado di mantenere il posizionamento preciso del wafer, che è fondamentale per ottenere una deposizione uniforme dello strato. Questo posizionamento preciso aiuta a garantire la consistenza dello spessore e della qualità dello strato epitassiale.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD: