Anello in grafite ad elevata purezza

L'anello in grafite ad elevata purezza è adatto ai processi di crescita epitassiale GaN. La loro eccellente stabilità e prestazioni superiori li hanno resi ampiamente utilizzati. VeTek Semiconductor produce e produce anelli di grafite ad elevata purezza leader a livello mondiale per aiutare il settore dell'epitassia GaN a continuare a progredire. VeTekSemi non vede l'ora di diventare il vostro partner in Cina.

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Descrizione del prodotto

Simple diagram of GaN epitaxial growth Il processo diGaN epitassialela crescita viene effettuata in un ambiente corrosivo ad alta temperatura. La zona calda del forno a crescita epitassiale GaN è solitamente dotata di parti in grafite di elevata purezza resistenti al calore e alla corrosione, come riscaldatori, crogioli, elettrodi di grafite, supporti per crogioli, dadi per elettrodi, ecc. La guarnizione ad anello in grafite è una delle parti importanti.

L'anello in grafite ad elevata purezza di VeTek Semiconductor è realizzato in grafite pura con purezza estremamente elevata e il contenuto di ceneri del prodotto finito può essere <5 PPM.

Inoltre, gli anelli di grafite hanno le caratteristiche di resistenza alle alte temperature e alla corrosione, buona conduttività elettrica e termica, stabilità chimica e resistenza agli shock termici, che li rendono adatti per l'uso nei forni a crescita epitassiale GaN.

Gli anelli in grafite ad elevata purezza di VeTek Semiconductor sono realizzati con grafite della massima qualità, con prestazioni stabili e lunga durata. Se è necessario eseguire la crescita epitassiale GaN, i nostri anelli in grafite ad elevata purezza sono la scelta migliore tra le parti in grafite.

VeTek Semiconductor può fornire ai clienti prodotti altamente personalizzati, che si tratti della dimensione o del materiale dell'anello, in grado di soddisfare le varie esigenze dei clienti. Stiamo aspettando la tua consultazione in qualsiasi momento.

Dati del materiale della grafite SGL 6510

Proprietà tipiche	Unità	Standard di prova	Valori
Granulometria media	µm	ISO 13320	10
Densità apparente	g/cm³	DALLA CEI EN 60413/204	1.83
Porosità aperta	Vol.%	DIN 66133	10
Diametro di ingresso dei pori medio	µm	DIN 66133	1.8
Coefficiente di permeabilità (temperatura ambiente)	cm²/S	DAL 51935	0.06
Durezza Rockwell HR_5/100	\	DALLA CEI EN 60413/303	90
Resistività	μΩm	DALLA CEI EN 60413/402	13
Resistenza alla flessione	MPa	DALLA CEI EN 60413/501	60
Resistenza alla compressione	MPa	DIN 51910	130
Modulo dinamico di elasticità	MPa	DIN 51915	11,5×10³
Dilatazione termica (20-200 ℃)	K^-1	DIN 51909	4,2x10^-6
Conduttività termica(20℃)	Wm^-1K^-1	DIN 51908	105
Contenuto di ceneri	ppm	DIN 51903	\