Porta wafer Epi

VeTek Semiconductor è un produttore e fabbrica professionale di supporti per wafer Epi in Cina. Epi Wafer Holder è un supporto per wafer per il processo di epitassia nella lavorazione dei semiconduttori. È uno strumento chiave per stabilizzare il wafer e garantire una crescita uniforme dello strato epitassiale. È ampiamente utilizzato nelle apparecchiature per epitassia come MOCVD e LPCVD. È un dispositivo insostituibile nel processo di epitassia. Accolga favorevolmente la vostra ulteriore consultazione.

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Descrizione del prodotto

Il principio di funzionamento di Epi Wafer Holder è quello di trattenere il wafer durante il processo di epitassia per garantire che ilwafersi trova in un ambiente con temperatura e flusso di gas precisi in modo che il materiale epitassiale possa essere depositato uniformemente sulla superficie del wafer. In condizioni di temperatura elevata, questo prodotto può fissare saldamente il wafer nella camera di reazione evitando problemi come graffi e contaminazione da particelle sulla superficie del wafer.

Il supporto per wafer Epi è solitamente realizzatocarburo di silicio (SiC). Il SiC ha un basso coefficiente di dilatazione termica di circa 4,0 x 10^^-6/°C, che aiuta a mantenere la stabilità dimensionale del supporto ad alte temperature ed evitare lo stress del wafer causato dall'espansione termica. Combinato con la sua eccellente stabilità alle alte temperature (in grado di resistere a temperature elevate di 1.200°C~1.600°C), resistenza alla corrosione e conduttività termica (la conduttività termica è solitamente di 120-160 W/mK), il SiC è un materiale ideale per i supporti per wafer epitassiali .

Il supporto per wafer Epi svolge un ruolo vitale nel processo epitassiale. La sua funzione principale è quella di fornire un supporto stabile in un ambiente con gas corrosivo ad alta temperatura per garantire che il wafer non venga influenzato durante ilprocesso di crescita epitassiale, garantendo al contempo la crescita uniforme dello strato epitassiale.Nello specifico come segue:

Fissazione del wafer e allineamento preciso: Il supporto per wafer Epi progettato ad alta precisione fissa saldamente il wafer nel centro geometrico della camera di reazione per garantire che la superficie del wafer formi il miglior angolo di contatto con il flusso del gas di reazione. Questo preciso allineamento non solo garantisce l'uniformità della deposizione dello strato epitassiale, ma riduce anche efficacemente la concentrazione di stress causata dalla deviazione della posizione del wafer.

Riscaldamento uniforme e controllo del campo termico: L'eccellente conduttività termica del materiale in carburo di silicio (SiC) (la conduttività termica è solitamente di 120-160 W/mK) fornisce un efficiente trasferimento di calore per i wafer in ambienti epitassiali ad alta temperatura. Allo stesso tempo, la distribuzione della temperatura del sistema di riscaldamento è controllata con precisione per garantire una temperatura uniforme su tutta la superficie del wafer. Ciò evita efficacemente lo stress termico causato da eccessivi gradienti di temperatura, riducendo così significativamente la probabilità di difetti come deformazioni e crepe del wafer.

Controllo della contaminazione delle particelle e purezza del materiale: L'uso di substrati SiC di elevata purezza e materiali di grafite rivestiti CVD riduce notevolmente la generazione e la diffusione di particelle durante il processo di epitassia. Questi materiali di elevata purezza non solo forniscono un ambiente pulito per la crescita dello strato epitassiale, ma aiutano anche a ridurre i difetti di interfaccia, migliorando così la qualità e l'affidabilità dello strato epitassiale.

Resistenza alla corrosione: Il supporto deve essere in grado di resistere ai gas corrosivi (come ammoniaca, trimetilgallio, ecc.) utilizzatiMOCVDo processi LPCVD, quindi l'eccellente resistenza alla corrosione dei materiali SiC aiuta a prolungare la durata della staffa e a garantire l'affidabilità del processo di produzione.

VeTek Semiconductor supporta servizi di prodotto personalizzati, quindi Epi Wafer Holder può fornirti servizi di prodotto personalizzati in base alle dimensioni del wafer (100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, ecc.). Speriamo sinceramente di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.

DATI SEM DELLA STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC:

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD：

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura cristallina	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg^-1·K^-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica	300 W·m^-1·K^-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K^-1