VeTek Semiconductor ha vissuto molti anni di sviluppo tecnologico e ha padroneggiato la tecnologia di processo leader del rivestimento CVD TaC. L'anello guida a tre petali rivestito in TaC CVD è uno dei prodotti di rivestimento TaC CVD più maturi di VeTek Semiconductor ed è un componente importante per la preparazione dei cristalli SiC mediante il metodo PVT. Con l'aiuto di VeTek Semiconductor, credo che la tua produzione di cristalli SiC sarà più fluida ed efficiente.
Il materiale del substrato monocristallino in carburo di silicio è un tipo di materiale cristallino, che appartiene al materiale semiconduttore ad ampio gap di banda. Presenta i vantaggi di resistenza all'alta tensione, resistenza alle alte temperature, alta frequenza, bassa perdita, ecc. È un materiale di base per la preparazione di dispositivi elettronici di potenza ad alta potenza e dispositivi a radiofrequenza a microonde. Attualmente, i principali metodi per la crescita dei cristalli di SiC sono il trasporto fisico del vapore (metodo PVT), la deposizione chimica del vapore ad alta temperatura (metodo HTCVD), il metodo della fase liquida, ecc.
Il metodo PVT è un metodo relativamente maturo più adatto alla produzione industriale di massa. Posizionando il cristallo seme di SiC sulla parte superiore del crogiolo e posizionando la polvere di SiC come materia prima sul fondo del crogiolo, in un ambiente chiuso ad alta temperatura e bassa pressione, la polvere di SiC sublima e viene trasferita verso l'alto nelle vicinanze del cristallo seme sotto l'azione del gradiente di temperatura e della differenza di concentrazione e si ricristallizza dopo aver raggiunto lo stato sovrasaturo, è possibile ottenere la crescita controllabile della dimensione del cristallo SiC e del tipo di cristallo specifico.
La funzione principale dell'anello guida a tre petali rivestito CVD TaC è quella di migliorare la meccanica dei fluidi, guidare il flusso del gas e aiutare l'area di crescita dei cristalli a ottenere un'atmosfera uniforme. Inoltre, dissipa efficacemente il calore e mantiene il gradiente di temperatura durante la crescita dei cristalli di SiC, ottimizzando così le condizioni di crescita dei cristalli di SiC ed evitando difetti cristallini causati da una distribuzione non uniforme della temperatura.
● Purezza ultraelevata: Evita la generazione di impurità e contaminazioni.
● Stabilità alle alte temperature: La stabilità alle alte temperature superiori a 2500°C consente il funzionamento a temperature ultra elevate.
● Tolleranza all'ambiente chimico: Tolleranza a H(2), NH(3), SiH(4) e Si, fornendo protezione in ambienti chimici difficili.
● Lunga vita senza spargimento: Il forte legame con il corpo in grafite può garantire un lungo ciclo di vita senza perdita del rivestimento interno.
● Resistenza agli shock termici: La resistenza agli shock termici accelera il ciclo operativo.
●Tolleranza dimensionale rigorosa: Garantisce che la copertura del rivestimento soddisfi rigorose tolleranze dimensionali.
VeTek Semiconductor dispone di un team di supporto tecnico e di vendita professionale e maturo in grado di personalizzare i prodotti e le soluzioni più adatti a te. Dalla prevendita al postvendita, VeTek Semiconductor è sempre impegnata a fornirti i servizi più completi ed esaustivi.
Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità del rivestimento TaC
14,3 (g/cm³)
Emissività specifica
0.3
Coefficiente di dilatazione termica
6.310-6/K
Rivestimento TaC Durezza (HK)
2000 Hong Kong
Resistenza
1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica
<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia
-10~-20um
Spessore del rivestimento
Valore tipico ≥20um (35um±10um)
Conduttività termica
9-22(W/m·K)