Cilindro in grafite CVD SiC

Il cilindro in grafite CVD SiC di Vetek Semiconductor è fondamentale nelle apparecchiature per semiconduttori, poiché funge da scudo protettivo all'interno dei reattori per salvaguardare i componenti interni in ambienti ad alta temperatura e pressione. Protegge efficacemente dalle sostanze chimiche e dal calore estremo, preservando l'integrità dell'apparecchiatura. Con un'eccezionale resistenza all'usura e alla corrosione, garantisce longevità e stabilità in ambienti difficili. L'utilizzo di queste coperture migliora le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore, prolunga la durata della vita e riduce i requisiti di manutenzione e i rischi di danni. Benvenuti a contattarci.

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Descrizione del prodotto

Il cilindro in grafite SiC CVD di Vetek Semiconductor svolge un ruolo importante nelle apparecchiature per semiconduttori. Viene solitamente utilizzato come copertura protettiva all'interno del reattore per fornire protezione ai componenti interni del reattore in ambienti ad alta temperatura e alta pressione. Questa copertura protettiva può isolare efficacemente le sostanze chimiche e le alte temperature nel reattore, impedendo loro di causare danni all'apparecchiatura. Allo stesso tempo, il cilindro in grafite CVD SiC ha anche un'eccellente resistenza all'usura e alla corrosione, rendendolo in grado di mantenere stabilità e durata a lungo termine in ambienti di lavoro difficili. Utilizzando coperture protettive realizzate con questo materiale, è possibile migliorare le prestazioni e l'affidabilità dei dispositivi a semiconduttore, prolungando la durata del dispositivo e riducendo le esigenze di manutenzione e il rischio di danni.

Il cilindro in grafite CVD SiC ha un'ampia gamma di applicazioni in apparecchiature a semiconduttore, inclusi ma non limitati ai seguenti aspetti:

Apparecchiature per il trattamento termico: il cilindro in grafite CVD SiC può essere utilizzato come copertura protettiva o scudo termico nelle apparecchiature per il trattamento termico per proteggere i componenti interni dalle alte temperature fornendo allo stesso tempo un'eccellente resistenza alle alte temperature.

Reattore di deposizione chimica in fase vapore (CVD): nel reattore CVD, il cilindro in grafite SiC CVD può essere utilizzato come copertura protettiva per la camera di reazione chimica, isolando efficacemente la sostanza di reazione e fornendo resistenza alla corrosione.

Applicazioni in ambienti corrosivi: grazie alla sua eccellente resistenza alla corrosione, il cilindro in grafite SiC CVD può essere utilizzato in ambienti chimicamente corrosi, come ambienti con gas o liquidi corrosivi durante la produzione di semiconduttori.

Apparecchiature per la crescita di semiconduttori: coperture protettive o altri componenti utilizzati nelle apparecchiature per la crescita di semiconduttori per proteggere le apparecchiature da alte temperature, corrosione chimica e usura per garantire stabilità e affidabilità a lungo termine delle apparecchiature.

Stabilità alle alte temperature, resistenza alla corrosione, eccellenti proprietà meccaniche, conduttività termica. Con queste eccellenti prestazioni, aiuta a dissipare il calore in modo più efficiente nei dispositivi a semiconduttore, mantenendo la stabilità e le prestazioni del dispositivo.

Proprietà fisiche di base del rivestimento CVD SiC:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura cristallina	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1