Ugello per rivestimento CVD SiC

VeTek Semiconductor è un produttore specializzato di accessori di rivestimento CVD SiC per dispositivi epitassiali come le parti halfmoon di rivestimento CVD SiC e i suoi accessori ugelli di rivestimento CVD SiC. Benvenuti a contattarci.

PE1O8 è un sistema completamente automatico da cartuccia a cartuccia progettato per gestire wafer SiC fino a 200 mm. Il formato può essere commutato tra 150 e 200 mm, riducendo al minimo i tempi di fermo dell'utensile. La riduzione delle fasi di riscaldamento aumenta la produttività, mentre l’automazione riduce la manodopera e migliora la qualità e la ripetibilità. Per garantire un processo di epitassia efficiente e competitivo in termini di costi, vengono riportati tre fattori principali: 1) processo veloce, 2) elevata uniformità di spessore e drogaggio e 3) minimizzazione della formazione di difetti durante il processo di epitassia. Nel PE1O8, la piccola massa di grafite e il sistema di carico/scarico automatico consentono di completare una corsa standard in meno di 75 minuti (la formulazione standard del diodo Schottky da 10μm utilizza un tasso di crescita di 30μm/h). Il sistema automatico consente il carico/scarico ad alte temperature. Di conseguenza, i tempi di riscaldamento e raffreddamento sono brevi, mentre la fase di cottura è stata inibita. Questa condizione ideale consente la crescita di veri materiali non drogati.

Nel processo di epitassia del carburo di silicio, gli ugelli di rivestimento CVD SiC svolgono un ruolo cruciale nella crescita e nella qualità degli strati epitassiali. Ecco la spiegazione approfondita del ruolo degli ugelli nell'epitassia del carburo di silicio:

Fornitura e controllo del gas: gli ugelli vengono utilizzati per erogare la miscela di gas richiesta durante l'epitassia, compreso il gas di origine del silicio e il gas di origine del carbonio. Attraverso gli ugelli, il flusso e i rapporti del gas possono essere controllati con precisione per garantire una crescita uniforme dello strato epitassiale e la composizione chimica desiderata.

Controllo della temperatura: gli ugelli aiutano anche a controllare la temperatura all'interno del reattore epitassia. Nell'epitassia del carburo di silicio, la temperatura è un fattore critico che influenza il tasso di crescita e la qualità dei cristalli. Fornendo calore o gas di raffreddamento attraverso gli ugelli, la temperatura di crescita dello strato epitassiale può essere regolata per condizioni di crescita ottimali.

Distribuzione del flusso di gas: il design degli ugelli influenza la distribuzione uniforme del gas all'interno del reattore. La distribuzione uniforme del flusso di gas garantisce l'uniformità dello strato epitassiale e uno spessore costante, evitando problemi legati alla non uniformità della qualità del materiale.

Prevenzione della contaminazione da impurità: una progettazione e un utilizzo adeguati degli ugelli possono aiutare a prevenire la contaminazione da impurità durante il processo di epitassia. Il design adeguato degli ugelli riduce al minimo la probabilità che impurità esterne entrino nel reattore, garantendo la purezza e la qualità dello strato epitassiale.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Negozi di produzione:

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori: