VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader di supporti per wafer in grafite rivestito TaC in Cina. Siamo specializzati nel rivestimento SiC e TaC da molti anni. Il nostro supporto per wafer in grafite rivestito TaC ha una maggiore resistenza alla temperatura e all'usura. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.
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Il supporto per wafer in grafite rivestito in TaC di VeTek Semiconductor interagisce direttamente con i wafer nel reattore epitassia, migliorando l'efficienza e le prestazioni. Con l'opzione del rivestimento in carburo di silicio o carburo di tantalio, il supporto per wafer in grafite rivestito TaC di VeTek Semiconductor offre una durata di vita estesa, fino a 2-3 volte più lunga con il carburo di tantalio. Compatibile con vari modelli di macchine, inclusi forni epitassiali LPE SiC, JSG, forni epitassiali NASO.
Il supporto in grafite rivestito in TaC di VeTek Semiconductor garantisce una stechiometria di reazione precisa, previene la migrazione delle impurità e mantiene la stabilità della temperatura oltre i 2000°C. Presenta una notevole resistenza a H2, NH3, SiH4 e Si, proteggendo dagli ambienti chimici aggressivi. Resistendo agli shock termici, consente cicli operativi rapidi senza delaminazione del rivestimento.
Il rivestimento TaC di VeTek Semiconductor garantisce una purezza ultraelevata, elimina le impurità e assicura una copertura conforme che soddisfa rigorose tolleranze dimensionali. Con le capacità avanzate di elaborazione della grafite di VeTek Semiconductor, siamo attrezzati per soddisfare le vostre esigenze di personalizzazione. Sia che abbiate bisogno di servizi di rivestimento o di soluzioni complete, il nostro team di ingegneri esperti è pronto a progettare la soluzione perfetta per le vostre applicazioni specifiche. Affidati a noi per fornire prodotti di alta qualità su misura per le tue esigenze e aspettative.
Proprietà fisiche del rivestimento TaC | |
Densità | 14,3 (g/cm³) |
Emissività specifica | 0.3 |
Coefficiente di dilatazione termica | 6.3 10-6/K |
Durezza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistenza | 1×10-5Ohm*cm |
Stabilità termica | <2500 ℃ |
La dimensione della grafite cambia | -10~-20um |
Spessore del rivestimento | Valore tipico ≥20um (35um±10um) |