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Tubo rivestito in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli
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Tubo rivestito in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader in Cina di tubi rivestiti in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli. Siamo specializzati nel rivestimento ceramico da molti anni. I nostri prodotti hanno un'elevata purezza e resistenza alle alte temperature. Non vediamo l'ora di diventare il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

Puoi essere certo di acquistare un tubo rivestito in carburo di tantalio personalizzato per la crescita dei cristalli da VeTek Semiconductor. Non vediamo l'ora di collaborare con te, se vuoi saperne di più, puoi consultarci ora, ti risponderemo in tempo!

VeTek Semiconductor offre tubi rivestiti in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli appositamente progettati per la crescita dei cristalli SiC utilizzando il metodo Physical Vapor Transport (PVT). I tubi in grafite di VeTek Semiconductor sono caratterizzati da elevata purezza con rivestimento in carburo di tantalio CVD, garantendo prestazioni ottimali nella crescita dei cristalli SiC. I cristalli SiC, noti come semiconduttori di terza generazione, racchiudono un immenso potenziale in varie applicazioni. Utilizzando il nostro tubo rivestito in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli, ricercatori e professionisti del settore possono ottimizzare efficacemente la crescita del SiC e produrre boule di cristalli SiC di alta qualità. Che tu sia coinvolto nella ricerca o nella produzione industriale, i nostri prodotti forniscono soluzioni affidabili per una crescita efficiente dei cristalli SiC.

Oltre al tubo di grafite rivestito in TaC, VeTek Semiconductor fornisce anche anelli rivestiti in TaC, crogiolo rivestito in TaC, grafite porosa rivestita in TaC, suscettore in grafite rivestito in TaC, anello guida rivestito in TaC, piastra rivestita in carburo di tantalio TaC, anello di rivestimento TaC, copertura in grafite con rivestimento TaC, rivestimento in TaC pezzo per il forno per la crescita dei cristalli come di seguito:



Metodo PVT Crescita dei cristalli SiC


Parametro del prodotto del tubo rivestito in carburo di tantalio per la crescita dei cristalli

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità 14,3 (g/cm³)
Emissività specifica 0.3
Coefficiente di dilatazione termica 6.3 10-6/K
Durezza (HK) 2000 Hong Kong
Resistenza 1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
La dimensione della grafite cambia -10~-20um
Spessore del rivestimento Valore tipico ≥20um (35um±10um)


Prestazioni del wafer dopo aver utilizzato i nostri componenti:


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori:


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