Grafite porosa con rivestimento TaC

La grafite porosa con rivestimento TaC è un materiale avanzato per la lavorazione dei semiconduttori fornito da VeTek Semiconductor. La grafite porosa con rivestimento TaC combina i vantaggi della grafite porosa e del rivestimento in carburo di tantalio (TaC), con una buona conduttività termica e permeabilità ai gas. VeTek Semiconductor si impegna a fornire prodotti di qualità a prezzi competitivi e non vediamo l'ora di essere il vostro partner a lungo termine in Cina.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore cinese che produce principalmente grafite porosa con rivestimento TaC con molti anni di esperienza. Spero di costruire rapporti d'affari con te.

La grafite porosa con materiale rivestito in TaC di VeTek Semiconductor è un materiale rivoluzionario per la produzione di semiconduttori che combina perfettamente la grafite porosa con il rivestimento in carburo di tantalio (TaC). Questo materiale in grafite porosa con rivestimento TaC ha un'eccellente permeabilità e un'elevata porosità, con una porosità massima del 75%, stabilendo un record internazionale del settore. Il rivestimento TaC ad elevata purezza non solo migliora la resistenza alla corrosione e all'usura della grafite porosa, ma fornisce anche un ulteriore strato di protezione, risolvendo efficacemente sfide come la lavorazione e la corrosione.

L'uso della grafite porosa rivestita in TaC può migliorare significativamente l'efficienza e la qualità del processo di produzione dei semiconduttori. La sua eccellente permeabilità garantisce la stabilità del materiale in condizioni di alta temperatura e controlla efficacemente l'aumento delle impurità di carbonio. Allo stesso tempo, il design ad alta porosità fornisce migliori prestazioni di diffusione del gas per aiutare a mantenere un ambiente di crescita puro.

Ci impegniamo a fornire ai clienti eccellenti materiali in grafite porosa con rivestimento TaC per soddisfare le esigenze dell'industria manifatturiera dei semiconduttori. Sia nei laboratori di ricerca che nella produzione industriale, questo materiale avanzato può aiutarti a ottenere prestazioni e affidabilità eccellenti. Contattaci oggi per saperne di più su questo materiale rivoluzionario e iniziare il tuo viaggio di innovazione per promuovere la produzione di semiconduttori.

Metodo PVT Crescita dei cristalli SiC

Parametro del prodotto della grafite porosa con rivestimento TaC

Proprietà fisiche del rivestimento TaC
Densità	14,3 (g/cm³)
Emissività specifica	0.3
Coefficiente di dilatazione termica	6.3 10-6/K
Durezza (HK)	2000 Hong Kong
Resistenza	1×10-5Ohm*cm
Stabilità termica	<2500 ℃
La dimensione della grafite cambia	-10~-20um
Spessore del rivestimento	Valore tipico ≥20um (35um±10um)