Cina Epitassia del silicio Produttore, fornitore, fabbrica

Epitassia del silicio, EPI, epitassia, epitassiale si riferisce alla crescita di uno strato di cristallo con la stessa direzione cristallina e diverso spessore cristallino su un singolo substrato di silicio cristallino. La tecnologia di crescita epitassiale è necessaria per la produzione di componenti discreti semiconduttori e circuiti integrati, poiché le impurità contenute nei semiconduttori includono il tipo N e il tipo P. Attraverso una combinazione di diversi tipi, i dispositivi a semiconduttore presentano una varietà di funzioni.

Il metodo di crescita dell'epitassia del silicio può essere suddiviso in epitassia in fase gassosa, epitassia in fase liquida (LPE), epitassia in fase solida, il metodo di crescita con deposizione di vapore chimico è ampiamente utilizzato nel mondo per soddisfare l'integrità del reticolo.

L'apparecchiatura epitassiale tipica del silicio è rappresentata dalla società italiana LPE, che dispone di un tor ipnotico epitassiale pancake, un tor ipnotico di tipo barile, un tor ipnotico a semiconduttore, un supporto per wafer e così via. Il diagramma schematico della camera di reazione dell'ipelettore epitassiale a forma di botte è il seguente. VeTek Semiconductor può fornire un hy pelettore epitassiale con wafer a forma di barile. La qualità del pannello HY rivestito in SiC è molto matura. Qualità equivalente a SGL; Allo stesso tempo, VeTek Semiconductor può anche fornire ugelli al quarzo con cavità di reazione epitassiale in silicio, deflettori al quarzo, campane di vetro e altri prodotti completi.

Sucettore epitassiale verticale per epitassia al silicio:

Sucettore epitassiale in silicio Suscettore wafer di tipo barile Ricevitore a semiconduttore Suscettore rivestito in SiC

Sucettore epitassiale orizzontale per epitassia al silicio:

Se il ricevitore epitassiale Portatore di frittelle Suscettore rivestito in SiC

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Deflettore per rivestimento CVD SiC

Il deflettore di rivestimento CVD SiC di Vetek Semiconductor viene utilizzato principalmente nell'epitassia del Si. Di solito viene utilizzato con cilindri di prolunga in silicone. Combina l'esclusiva temperatura elevata e la stabilità del deflettore di rivestimento CVD SiC, che migliora notevolmente la distribuzione uniforme del flusso d'aria nella produzione di semiconduttori. Crediamo che i nostri prodotti possano offrirti tecnologia avanzata e soluzioni di prodotto di alta qualità.

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Suscettore cilindrico rivestito in SiC

VeTek Semiconductor offre una serie completa di soluzioni di componenti per camere di reazione epitassiale in silicio LPE, offrendo una lunga durata, qualità stabile e una migliore resa dello strato epitassiale. Il nostro prodotto, come il Susceptor a barilotto rivestito in SiC, ha ricevuto feedback sulla posizione da parte dei clienti. Forniamo anche supporto tecnico per Si Epi, SiC Epi, MOCVD, epitassia UV-LED e altro ancora. Sentiti libero di chiedere informazioni sui prezzi.

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Se il ricevitore EPI

VeTek Semiconductor è una fabbrica che combina lavorazioni meccaniche di precisione e capacità di rivestimento SiC e TaC per semiconduttori. Il susceptor Si Epi di tipo a barilotto offre funzionalità di controllo della temperatura e dell'atmosfera, migliorando l'efficienza produttiva nei processi di crescita epitassiale dei semiconduttori. Non vedo l'ora di instaurare un rapporto di cooperazione con voi.

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Recettore Epi rivestito in SiC

In qualità di principale produttore nazionale di rivestimenti in carburo di silicio e carburo di tantalio, VeTek Semiconductor è in grado di fornire lavorazioni meccaniche di precisione e rivestimento uniforme del suscettore Epi rivestito in SiC, controllando efficacemente la purezza del rivestimento e del prodotto inferiore a 5 ppm. La durata del prodotto è paragonabile a quella di SGL. Benvenuto per informarci.

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Set di recettori LPE SI EPI

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader di set di suscettori LPE Si Epi in Cina. Siamo specializzati nel rivestimento SiC e TaC da molti anni. Offriamo un set di suscettori LPE Si Epi progettato specificamente per wafer LPE PE2061S da 4 pollici. Il grado di corrispondenza del materiale in grafite e del rivestimento SiC è buono, l'uniformità è eccellente e la durata è lunga, il che può migliorare la resa della crescita dello strato epitassiale durante il processo LPE (Liquid Phase Epitaxy). Vi invitiamo a visitare la nostra fabbrica a Cina.

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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI

VeTek Semiconductor è un produttore, fornitore ed esportatore professionale di suscettore a cilindro in grafite rivestito in SiC per EPI. Supportato da un team di professionisti e da una tecnologia all'avanguardia, VeTek Semiconductor può fornirti alta qualità a prezzi ragionevoli. vi diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica per ulteriori discussioni.

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In qualità di produttore e fornitore professionale Epitassia del silicio in Cina, abbiamo la nostra fabbrica. Se hai bisogno di servizi personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche della tua regione o desideri acquistare Epitassia del silicio avanzati e durevoli prodotti in Cina, puoi lasciarci un messaggio.