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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI
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Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI

VeTek Semiconductor è un produttore, fornitore ed esportatore professionale di suscettore a cilindro in grafite rivestito in SiC per EPI. Supportato da un team di professionisti e da una tecnologia all'avanguardia, VeTek Semiconductor può fornirti alta qualità a prezzi ragionevoli. vi diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica per ulteriori discussioni.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore cinese che produce principalmente suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC per EPI con molti anni di esperienza. Spero di costruire rapporti d'affari con te. L'EPI (Epitassia) è un processo critico nella produzione di semiconduttori avanzati. Implica la deposizione di sottili strati di materiale su un substrato per creare strutture di dispositivi complessi. I suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC per EPI sono comunemente usati come suscettori nei reattori EPI grazie alla loro eccellente conduttività termica e resistenza alle alte temperature. Con il rivestimento CVD-SiC, diventa più resistente alla contaminazione, all'erosione e allo shock termico. Ciò si traduce in una maggiore durata del suscettore e in una migliore qualità della pellicola.


Vantaggi del nostro suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC:

Contaminazione ridotta: la natura inerte del SiC impedisce alle impurità di aderire alla superficie del suscettore, riducendo il rischio di contaminazione delle pellicole depositate.

Maggiore resistenza all'erosione: il SiC è significativamente più resistente all'erosione rispetto alla grafite convenzionale, garantendo una maggiore durata del suscettore.

Stabilità termica migliorata: il SiC ha un'eccellente conduttività termica e può resistere alle alte temperature senza distorsioni significative.

Migliore qualità della pellicola: la migliore stabilità termica e la ridotta contaminazione si traducono in pellicole depositate di qualità superiore con migliore uniformità e controllo dello spessore.


Applicazioni:

I suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni EPI, tra cui:

LED basati su GaN

Elettronica di potenza

Dispositivi optoelettronici

Transistor ad alta frequenza

Sensori


Parametro del prodotto del suscettore a barilotto di grafite rivestito in SiC

Proprietà fisiche della grafite isostatica
Proprietà Unità Valore tipico
Densità apparente g/cm³ 1.83
Durezza HSD 58
Resistività elettrica mΩ.m 10
Resistenza alla flessione MPa 47
Resistenza alla compressione MPa 103
Resistenza alla trazione MPa 31
Modulo di Young GPa 11.8
Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.6
Conduttività termica W·m-1·K-1 130
Granulometria media µm 8-10
Porosità % 10
Contenuto di cenere ppm ≤10 (dopo purificato)

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura di cristallo FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità 3,21 g/cm³
Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2~10μm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica 300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek


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