VeTek Semiconductor è un produttore, fornitore ed esportatore professionale di suscettore a cilindro in grafite rivestito in SiC per EPI. Supportato da un team di professionisti e da una tecnologia all'avanguardia, VeTek Semiconductor può fornirti alta qualità a prezzi ragionevoli. vi diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica per ulteriori discussioni.
VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore cinese che produce principalmente suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC per EPI con molti anni di esperienza. Spero di costruire rapporti d'affari con te. L'EPI (Epitassia) è un processo critico nella produzione di semiconduttori avanzati. Implica la deposizione di sottili strati di materiale su un substrato per creare strutture di dispositivi complessi. I suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC per EPI sono comunemente usati come suscettori nei reattori EPI grazie alla loro eccellente conduttività termica e resistenza alle alte temperature. Con il rivestimento CVD-SiC, diventa più resistente alla contaminazione, all'erosione e allo shock termico. Ciò si traduce in una maggiore durata del suscettore e in una migliore qualità della pellicola.
Contaminazione ridotta: la natura inerte del SiC impedisce alle impurità di aderire alla superficie del suscettore, riducendo il rischio di contaminazione delle pellicole depositate.
Maggiore resistenza all'erosione: il SiC è significativamente più resistente all'erosione rispetto alla grafite convenzionale, garantendo una maggiore durata del suscettore.
Stabilità termica migliorata: il SiC ha un'eccellente conduttività termica e può resistere alle alte temperature senza distorsioni significative.
Migliore qualità della pellicola: la migliore stabilità termica e la ridotta contaminazione si traducono in pellicole depositate di qualità superiore con migliore uniformità e controllo dello spessore.
I suscettori a cilindro in grafite rivestiti in SiC sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni EPI, tra cui:
LED basati su GaN
Elettronica di potenza
Dispositivi optoelettronici
Transistor ad alta frequenza
Sensori
Proprietà fisiche della grafite isostatica | ||
Proprietà | Unità | Valore tipico |
Densità apparente | g/cm³ | 1.83 |
Durezza | HSD | 58 |
Resistività elettrica | mΩ.m | 10 |
Resistenza alla flessione | MPa | 47 |
Resistenza alla compressione | MPa | 103 |
Resistenza alla trazione | MPa | 31 |
Modulo di Young | GPa | 11.8 |
Dilatazione termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Conduttività termica | W·m-1·K-1 | 130 |
Granulometria media | µm | 8-10 |
Porosità | % | 10 |
Contenuto di cenere | ppm | ≤10 (dopo purificato) |
Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.
Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD | |
Proprietà | Valore tipico |
Struttura di cristallo | FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111). |
Densità | 3,21 g/cm³ |
Durezza | Durezza 2500 Vickers (carico 500 g) |
Granulometria | 2~10μm |
Purezza chimica | 99,99995% |
Capacità termica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura di sublimazione | 2700 ℃ |
Resistenza alla flessione | 415 MPa RT a 4 punti |
Modulo di Young | Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃ |
Conduttività termica | 300W·m-1·K-1 |
Dilatazione termica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |