Set di recettori LPE SI EPI

VeTek Semiconductor è un produttore e innovatore leader di set di suscettori LPE Si Epi in Cina. Siamo specializzati nel rivestimento SiC e TaC da molti anni. Offriamo un set di suscettori LPE Si Epi progettato specificamente per wafer LPE PE2061S da 4 pollici. Il grado di corrispondenza del materiale in grafite e del rivestimento SiC è buono, l'uniformità è eccellente e la durata è lunga, il che può migliorare la resa della crescita dello strato epitassiale durante il processo LPE (Liquid Phase Epitaxy). Vi invitiamo a visitare la nostra fabbrica a Cina.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore professionale di set di suscettori LPE Si EPI in Cina.

Con una buona qualità e un prezzo competitivo, benvenuti a visitare la nostra fabbrica e ad instaurare una cooperazione a lungo termine con noi.

Il set di suscettori LPE Si Epi VeTeK Semiconductor è un prodotto ad alte prestazioni creato applicando uno strato sottile di carburo di silicio sulla superficie di grafite isotropa altamente purificata. Ciò è ottenuto attraverso il processo CVD (Chemical Vapor Deposition) brevettato da VeTeK Semiconductor.

Il set susceptor LPE Si Epi di VeTek Semiconductor è un reattore a barile di deposizione epitassiale CVD progettato per funzionare in modo affidabile anche in condizioni difficili. L'eccezionale adesione del rivestimento, la resistenza all'ossidazione ad alta temperatura e alla corrosione lo rendono la scelta ideale per ambienti difficili. Inoltre, il suo profilo termico uniforme e il modello di flusso laminare del gas prevengono la contaminazione, garantendo la crescita di strati epitassiali di alta qualità.

Il design a forma di barile del nostro reattore epitassiale a semiconduttore ottimizza il flusso di gas, garantendo che il calore sia distribuito uniformemente. Questa caratteristica previene efficacemente la contaminazione e la diffusione di impurità, garantendo la produzione di strati epitassiali di alta qualità su substrati di wafer.

Noi di VeTek Semiconductor ci impegniamo a fornire ai clienti prodotti di alta qualità e convenienti. Il nostro set di suscettori LPE Si Epi offre prezzi competitivi pur mantenendo un'eccellente densità sia per il substrato in grafite che per il rivestimento in carburo di silicio. Questa combinazione garantisce una protezione affidabile in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1