Suscettore ALD con rivestimento in SiC

Semiconduttore VeTekSuscettore ALD con rivestimento in SiCgioca un ruolo vitale nella deposizione dello strato atomico (ALD) processo. Il suo preciso controllo della temperatura, la distribuzione uniforme del gas, l'elevata resistenza chimica e l'eccellente conduttività termica garantiscono l'uniformità e l'alta qualità del processo di deposizione del film. Se vuoi saperne di più puoi consultarci subito e ti risponderemo in tempo!

Controllo preciso della temperatura:

Il suscettore ALD con rivestimento SiC di solito ha un sistema di controllo della temperatura ad alta precisione. È in grado di mantenere una temperatura ambiente uniforme durante tutto il processo di deposizione, fondamentale per garantire l'uniformità e la qualità del film.

Distribuzione uniforme del gas:

Il design ottimizzato del suscettore ALD con rivestimento SiC garantisce la distribuzione uniforme del gas durante il processo di deposizione ALD. La sua struttura solitamente comprende più parti rotanti o mobili per favorire una copertura uniforme dei gas reattivi sull'intera superficie del wafer.

Elevata resistenza chimica:

Poiché il processo ALD coinvolge una varietà di gas chimici, il suscettore ALD con rivestimento SiC è solitamente realizzato con materiali resistenti alla corrosione (come platino, ceramica o quarzo ad alta purezza) per resistere all'erosione dei gas chimici e all'influenza degli ambienti ad alta temperatura.

Eccellente conduttività termica:

Per condurre efficacemente il calore e mantenere una temperatura di deposizione stabile, i suscettori ALD con rivestimento SiC utilizzano solitamente materiali ad alta conduttività termica. Ciò aiuta a evitare il surriscaldamento locale e la deposizione irregolare.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Negozi di produzione:

Panoramica della catena industriale dell'epitassia dei chip semiconduttori：