Suscettore planetario ALD

Processo ALD, significa processo di epitassia dello strato atomico. Vetek Semiconductor e i produttori di sistemi ALD hanno sviluppato e prodotto suscettori planetari ALD rivestiti in SiC che soddisfano gli elevati requisiti del processo ALD per distribuire uniformemente il flusso d'aria sul substrato. Allo stesso tempo, il rivestimento CVD SiC ad elevata purezza di Vetek Semiconductor garantisce la purezza del processo. Benvenuti a discutere di cooperazione con noi.

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Descrizione del prodotto

In qualità di produttore professionale, Vetek Semiconductor vorrebbe fornirvi un suscettore planetario ALD rivestito in SiC.

Il processo ALD, noto come Atomic Layer Epitaxy, rappresenta l'apice della precisione nella tecnologia di deposizione di film sottili. Vetek Semiconductor, in collaborazione con i principali produttori di sistemi ALD, è stato pioniere nello sviluppo e nella produzione di suscettori planetari ALD rivestiti in SiC all'avanguardia. Questi innovativi suscettori sono stati meticolosamente progettati per superare i severi requisiti del processo ALD, garantendo la distribuzione uniforme del flusso d'aria attraverso il substrato con precisione ed efficienza senza precedenti.

Inoltre, l'impegno di Vetek Semiconductor verso l'eccellenza è esemplificato dall'utilizzo di rivestimenti CVD SiC ad elevata purezza, che garantiscono un livello di purezza cruciale per il successo di ogni ciclo di deposizione. Questa dedizione alla qualità non solo migliora l'affidabilità del processo, ma eleva anche le prestazioni complessive e la riproducibilità dei processi ALD in diverse applicazioni.

Vantaggi della panoramica della tecnologia ALD:

Controllo preciso dello spessore: ottieni uno spessore del film sub-nanometrico con eccellente ripetibilità controllando i cicli di deposizione.

Levigatezza della superficie: la perfetta conformità 3D e la copertura del gradino del 100% garantiscono rivestimenti lisci che seguono completamente la curvatura del substrato.

Ampia applicabilità: rivestibile su vari oggetti, dai wafer alle polveri, adatto per substrati sensibili.

Proprietà dei materiali personalizzabili: facile personalizzazione delle proprietà dei materiali per ossidi, nitruri, metalli, ecc.

Ampia finestra di processo: insensibilità alla temperatura o alle variazioni dei precursori, favorevole alla produzione in lotti con perfetta uniformità dello spessore del rivestimento.

Vi invitiamo cordialmente ad avviare un dialogo con noi per esplorare potenziali collaborazioni e partnership. Insieme possiamo sbloccare nuove possibilità e promuovere l’innovazione nel campo della tecnologia di deposizione di film sottile.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1