Nella crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti cruciali come il crogiolo, il supporto del seme e l'anello di guida svolgono un ruolo vitale. Come illustrato nella Figura 2 [1], durante il processo PVT, il cristallo seme è pos......
Per saperne di piùI substrati di carburo di silicio presentano molti difetti e non possono essere lavorati direttamente. Su di essi è necessario far crescere uno specifico film sottile monocristallino attraverso un processo epitassiale per produrre wafer di chip. Questo film sottile è lo strato epitassiale. Quasi tut......
Per saperne di piùIl materiale dello strato epitassiale di carburo di silicio è il carburo di silicio, che viene solitamente utilizzato per produrre dispositivi elettronici e LED ad alta potenza. È ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori grazie alla sua eccellente stabilità termica, resistenza meccani......
Per saperne di piùElevata purezza: lo strato epitassiale di silicio cresciuto mediante deposizione chimica in fase vapore (CVD) ha una purezza estremamente elevata, una migliore planarità superficiale e una densità di difetti inferiore rispetto ai wafer tradizionali.
Per saperne di piùIl carburo di silicio solido ha proprietà eccellenti come stabilità alle alte temperature, elevata durezza, buona resistenza all'abrasione e buona stabilità chimica, quindi ha un'ampia gamma di applicazioni. Di seguito sono riportate alcune applicazioni del carburo di silicio solido:
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