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Qual è la differenza tra epitassia e ALD?

La principale differenza tra epitassia e deposizione di strati atomici (ALD) risiede nei meccanismi di crescita del film e nelle condizioni operative. L'epitassia si riferisce al processo di crescita di una pellicola sottile cristallina su un substrato cristallino con una relazione di orientamento s......

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Cos'è il rivestimento CVD TAC?

Il rivestimento CVD TAC è un processo per formare un rivestimento denso e durevole su un substrato (grafite). Questo metodo prevede il deposito di TaC sulla superficie del substrato ad alte temperature, ottenendo un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) con eccellente stabilità termica e resiste......

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Arrotolare! Due importanti produttori stanno per produrre in serie il carburo di silicio da 8 pollici

Con la maturazione del processo al carburo di silicio (SiC) da 8 pollici, i produttori stanno accelerando il passaggio da 6 pollici a 8 pollici. Recentemente, ON Semiconductor e Resonac hanno annunciato aggiornamenti sulla produzione di SiC da 8 pollici.

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Progresso della tecnologia epitassiale SiC da 200 mm dell'Italia LPE

Questo articolo presenta gli ultimi sviluppi del reattore CVD a pareti calde PE1O8 di nuova concezione dell'azienda italiana LPE e la sua capacità di eseguire un'epitassia 4H-SiC uniforme su SiC da 200 mm.

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Progettazione del campo termico per la crescita di singoli cristalli SiC

Con la crescente domanda di materiali SiC nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e in altri campi, lo sviluppo della tecnologia di crescita del cristallo singolo SiC diventerà un'area chiave dell'innovazione scientifica e tecnologica. Essendo il nucleo delle apparecchiature per la crescit......

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Produzione di chip: un flusso di processo di MOSFET

Il processo di produzione del chip comprende fotolitografia, incisione, diffusione, film sottile, impianto di ioni, lucidatura chimico-meccanica, pulizia, ecc. Questo articolo spiega approssimativamente come questi processi vengono integrati in sequenza per produrre un MOSFET.

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