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La storia dello sviluppo del SiC 3C

Attraverso il continuo progresso tecnologico e la ricerca approfondita sui meccanismi, si prevede che la tecnologia eteroepitassiale 3C-SiC svolgerà un ruolo più importante nel settore dei semiconduttori e promuoverà lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta efficienza.

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Ricetta di deposizione di strati atomici ALD

ALD spaziale, deposizione di strati atomici spazialmente isolati. Il wafer si muove tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra l'ALD tradizionale e l'ALD spazialmente isolato.

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Innovazione tecnologica del carburo di tantalio, inquinamento epitassiale SiC ridotto del 75%?

Recentemente, l'istituto di ricerca tedesco Fraunhofer IISB ha fatto un passo avanti nella ricerca e nello sviluppo della tecnologia di rivestimento del carburo di tantalio e ha sviluppato una soluzione di rivestimento a spruzzo che è più flessibile ed ecologica rispetto alla soluzione di deposizion......

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Applicazione esplorativa della tecnologia di stampa 3D nel settore dei semiconduttori

In un’era di rapido sviluppo tecnologico, la stampa 3D, in quanto importante rappresentante della tecnologia di produzione avanzata, sta gradualmente cambiando il volto della produzione tradizionale. Con la continua maturità della tecnologia e la riduzione dei costi, la tecnologia di stampa 3D ha mo......

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Tecnologia di preparazione dell'epitassia del silicio (Si).

I materiali monocristallini da soli non possono soddisfare le esigenze della crescente produzione di vari dispositivi a semiconduttore. Alla fine del 1959 fu sviluppato uno strato sottile di tecnologia di crescita del materiale monocristallino: crescita epitassiale.

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Basato sulla tecnologia del forno a crescita monocristallino in carburo di silicio da 8 pollici

Il carburo di silicio è uno dei materiali ideali per la realizzazione di dispositivi ad alta temperatura, alta frequenza, alta potenza e alta tensione. Al fine di migliorare l’efficienza produttiva e ridurre i costi, la preparazione di substrati di carburo di silicio di grandi dimensioni è un’import......

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