Deflettore per crogiolo in grafite rivestito in SiC

VeTek Semiconductor vanta molti anni di esperienza nella produzione di deflettori per crogiolo in grafite rivestita in SiC di alta qualità. Disponiamo di un proprio laboratorio per la ricerca e lo sviluppo dei materiali, in grado di supportare i vostri progetti personalizzati con una qualità superiore. vi diamo il benvenuto a visitare la nostra fabbrica per ulteriori discussioni.

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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconducotr è un produttore e fornitore professionale di deflettori per crogioli in grafite rivestiti SiC in Cina. Il deflettore del crogiolo di grafite rivestito di SiC è un componente cruciale nelle apparecchiature del forno monocristallino, con il compito di guidare senza problemi il materiale fuso dal crogiolo alla zona di crescita dei cristalli, garantendo la qualità e la forma della crescita del monocristallino.

Le funzioni del nostro deflettore per crogiolo in grafite rivestito in SiC sono:

Controllo del flusso: dirige il flusso del silicio fuso durante il processo Czochralski, garantendo una distribuzione uniforme e un movimento controllato del silicio fuso per favorire la crescita dei cristalli.

Regolazione della temperatura: aiuta a regolare la distribuzione della temperatura all'interno del silicio fuso, garantendo condizioni ottimali per la crescita dei cristalli e riducendo al minimo i gradienti di temperatura che potrebbero influire sulla qualità del silicio monocristallino.

Prevenzione della contaminazione: controllando il flusso del silicio fuso, aiuta a prevenire la contaminazione dal crogiolo o da altre fonti, mantenendo l'elevata purezza richiesta per le applicazioni dei semiconduttori.

Stabilità: il deflettore contribuisce alla stabilità del processo di crescita dei cristalli riducendo la turbolenza e promuovendo un flusso costante di silicio fuso, che è fondamentale per ottenere proprietà cristalline uniformi.

Facilitazione della crescita dei cristalli: guidando il silicio fuso in modo controllato, il deflettore facilita la crescita di un singolo cristallo dal silicio fuso, che è essenziale per la produzione di wafer di silicio monocristallino di alta qualità utilizzati nella produzione di semiconduttori.

Parametro del prodotto del deflettore del crogiolo di grafite rivestito in SiC

Proprietà fisiche della grafite isostatica
Proprietà	Unità	Valore tipico
Densità apparente	g/cm³	1.83
Durezza	HSD	58
Resistività elettrica	mΩ.m	10
Resistenza alla flessione	MPa	47
Resistenza alla compressione	MPa	103
Resistenza alla trazione	MPa	31
Modulo di Young	GPa	11.8
Dilatazione termica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conduttività termica	W·m-1·K-1	130
Granulometria media	µm	8-10
Porosità	%	10
Contenuto di cenere	ppm	≤10 (dopo purificato)

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà	Valore tipico
Struttura di cristallo	FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità	3,21 g/cm³
Durezza	Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria	2~10μm
Purezza chimica	99,99995%
Capacità termica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione	2700 ℃
Resistenza alla flessione	415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young	Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conduttività termica	300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)	4,5×10-6K-1

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